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发布时间:2023-11-17 11:54:00

[判断题]( )二极管的反向击穿电压大小与温度有关,温度升高反向击穿电压增大。
A.正确
B.错误

更多"[判断题]( )二极管的反向击穿电压大小与温度有关,温度升高反向击穿"的相关试题:

[判断题]( )二极管的反向击穿电压大小与温度有关,温度升高反向击穿电压增大。
A.正确
B.错误
[判断题]产生击穿时加在二极管上是反向电压称之为反向击穿电压 ( ) 。
A.正确
B.错误
[单选题]某硅二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压

A.约等于150V
B.可略大于150V
C.低于300V
D.等于75V
[单选题]二极管最高反向电压为100 v,则二极管的反向击穿电压通常应选为( )。
A.100v
B.200 v
C.150v
D.250v
[单选题]二极管最高反向电压为100 V,则二极管的反向击穿电压通常应选为()。
A.100V
B.200V
C.150V
D.250V
[判断题]晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。(     )
A.正确
B.错误
[判断题]二极管所允许的最高工作电压的峰值等于反向击穿电压。( )
A.正确
B.错误
[单选题]选用的消弧回路的所用反向二极管,其反向击穿电压绝不允许低于()。
A.1000V
B.600V
C.400V
[判断题]直流电压在110V及以上的中间继电器选用的消弧回路所用反向二极管,其反向击穿电压不宜低于1000V,绝不允许低于500V。()
A.正确
B.错误
[单选题]并接在中间继电器上用作消弧回路的反向二极管,其反向击穿电压不宜低于()V。
A.500
B.1000
C.1500
D.2000
[判断题]选择整流二极管主要考虑两个参数:反向击穿电压和正向平均电流
A.正确
B.错误
[判断题]165、电导率与温度有关,它随着温度的升高而增大。
A.正确
B.错误
[判断题]流体的密度与其温度和压力有关,气体的密度随温度的升高而减小,随压力的增大而增大.( )
A.正确
B.错误
[单选题]导线的电阻大小常与温度有关, 一般温度升高导线电阻变大。
A.对
B.错

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