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[单项选择]X（γ）射线的百分深度剂量的大小取决于（）
A. 能量
B. 能量，深度
C. 能量，深度，射野大小
D. 能量，深度，源皮距
E. 能量，深度，源皮距，射野大小
[单项选择]不属于高能电子束百分深度剂量的是（）
A. 剂量建成区
B. 低剂量坪区
C. 高剂量坪区
D. X射线污染区
E. 剂量跌落区
[单项选择]描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
A. DS（表面剂量）
B. DX（韧致辐射剂量）
C. Rr（剂量规定值深度）
D. RP（射程）
E. Dr（剂量规定值）
[单项选择]影响射野中心轴百分深度剂量的因素有（）
A. 射线能量
B. 组织深度
C. 射野大小
D. 源皮距
E. 以上各项
[单项选择]电子束斜入射对百分深度剂量的影响是（）
A. 源于电子束的侧向散射效应
B. 距离平方反比造成的线束的扩散效应
C. 源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果
D. 源于电子束的偏射角度
E. 源于射程的增加
[单项选择]不影响百分深度剂量（PDD）的参数是（）
A. 深度
B. 表面剂量
C. 源皮距
D. 射线能量
E. 射野大小
[单项选择]电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（）
A. 电子束无明显建成效应
B. 电子束的皮肤剂量较高
C. 电子束的照射范围平坦
D. 电子束射程较短
E. 电子束容易被散射
[单项选择]不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（）
A. 剂量建成区
B. 高剂量坪区
C. X射线污染区
D. 剂量跌落区
E. 指数衰减区
[单项选择]关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）
A. 剂量建成区
B. 低剂量坪区
C. 高剂量坪区
D. 剂量跌落区
E. X射线污染区
[单项选择]关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。
A. 大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区
B. 大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区
C. 大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区
D. 剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减
E. 和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
[单项选择]描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是（）
A. 较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响
B. 较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响
C. 较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大
D. 较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大
E. 较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大
[单项选择]关于照射野对百分深度剂量的影响，哪项错误（）？
A. 照射野越大，影响越大
B. 电子束射程越短，影响越大
C. 低能时，影响较大
D. 当照射野的直径大于电子束射程的1/2时，影响较小
E. 当照射野的直径大于电子束射程的2/3时，影响较大
[单项选择]关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？
A. 随射线能量增加，表面剂量减少
B. 随射线能量增加，剂量建成更迅速
C. 随射线能量减小，高剂量坪区变宽
D. 随射线能量减小，剂量梯度增大
E. 随射线能量减小，X射线污染减少
[单项选择]电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点，哪项错误（）
A. 表面剂量增加
B. 最大剂量深度变深
C. X射线污染增加
D. 剂量梯度变陡
E. 高能电子束较低能电子束变化显著
[单项选择]高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）
A. 随深度增加，等剂量线向外侧扩张
B. 电子束入射距离较远
C. 电子束入射能量较高
D. 电子束中包含一定数量的X射线
E. 电子束在其运动径迹上不易被散射
[单项选择]电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是，照射野的执行与电子束射程比值（）
A. 大于1
B. 等于1
C. 大于0.5
D. 等于0.5
E. 小于0.5
[单项选择]高能X线射线射野中心轴上最大剂量点位置变化主要取决于（）。
A. 射线能量
B. 射线强度
C. 射野形状
D. 射野尺寸
E. 源皮距
[单项选择]一定能童的射线穿透物质时的吸收程度，取决于物质的（）。
A. 原子序数
B. 密度
C. 厚度
D. 以上都是
