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发布时间:2023-09-29 18:45:04

[判断题]晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电流。

更多"晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电"的相关试题:

[单项选择]当阳极电流减小到()以下时,晶闸管才能恢复阻断状态。
A. 正向漏电流
B. 通态平均电流
C. 擎住电流
D. 维持电流
[判断题]晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门即断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
[判断题]可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
[单项选择]晶闸管正向阻断时,阳极与阴极间只有很小的()。
A. 正向漏电流
B. 反向漏电流
C. 正向导通电流
D. 反向击穿电流
[单项选择]通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的()倍。
A. 1~1.5
B. 1.5~2
C. 2~2.5
D. 2.5~3
[判断题]逆变状态下,晶闸管阻断时主要承受正向电压。
[填空题]为了提高正向阻断电压,作为调制开关的可控硅一般()使用,但需要考虑均压问题。
[判断题]三极管集电极电流的变化量与集极电流的变化量的比值称为共发射极直流电流放大倍数。
[单项选择]当电流通过三极管时,晶体三极管内部包括集电极电流Ic、基极电流Ic和发射极电流Ie,三电流分配关系为()。
A. Ie=Ic+Ib
B. Ic=Ie+Ib
C. Ib=Ic+Ie
[判断题]单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变大,RB2则与发射极电流无关。
[单项选择]串联晶闸管在阻断状态,每个晶闸管()
A. 承受相等的正向电压
B. 承受相等的反向电压
C. 流过的电流为零
D. 流过相等的漏电流
[单项选择]()二极管工作在正向偏置状态。
A. 稳压
B. 发光
C. 光电
D. 变容
[判断题]单结晶体管导通后,其发射极电流小于谷点电流时,就会恢复截止。
[单项选择]晶体三极管的三个极电流关系是()
A. Ie=Ic-Ib
B. Ie=Ic+Ib
C. Ie=Ic*Ib
D. Ie=Ic/Ib
[单项选择]晶闸管从通态转化为阻断状态的条件是:()电流降到维持电流以下。
A. 门极
B. 阳极
C. 阴极
D. 门极和阴极间
[填空题]在二极管两端加正向电压时,正向电流(),二极管处于()状态。
[单项选择]某晶体三极管的管压降UCE保持不变,基极电流Ib=30微安,Ic=1.2毫安,则发射极电流IE=()mA。
A. 1.23
B. 1.5
C. 1.17
D. 1.203
[单项选择]场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()
A. 栅极电流
B. 栅源电压
C. 漏源电压
D. 栅漏电压
[判断题]对于链路状态路由协议,在入方向过滤路由实际上可以阻断链路状态信息的传递,过滤的效果是路由不能被加入到贝蒂路由表中,并且它的邻居也不能收到完整的路由状态信息

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