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[判断题]QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
[单项选择]用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用正接法（）。
A. 需要试品两端对地绝缘
B. 试品设在低压端
C. 适用于现场试验
D. 需要注意操作人员安全
[单项选择]用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。
A. 可以试品一端接地
B. 试品设在高压端
C. 不适用于现场试验
D. 操作方便
[单项选择]QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。
A. 0.2m
B. 0.5m
C. 1m
D. 1.5m
[多项选择]QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）
A. 电场干扰
B. 温度影响
C. 被试设备局部绝缘缺陷的影响
D. 测量电压的影响
[单项选择]测量变压器介质损失角正切值，用（）。
A. 电压降法
B. 屏蔽法
C. 直流电桥法
D. QSI型交流电桥法
[单项选择]某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ，采用的电压频率f=50Hz，电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指零，此时电容C4的电容量为0.08μF，则介质损耗正切值tanδ为（）。
A. 0.02
B. 0.08
C. 0.3184
D. 1
[判断题]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。
[判断题]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
[判断题]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
[多项选择]可以用介质损耗正切值来表示介质损耗的大小，通过测量介质损耗正切值，可以发现（）等绝缘缺陷，是判定绝缘好坏的一项重要数据.
A. 绝缘受潮缺陷
B. 贯通性绝缘缺陷
C. 绝缘老化缺陷
D. 绝缘气隙放电缺陷
[多项选择]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）
A. 温度影响
B. 强电场干扰
C. 测量中接线错误
D. 测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污
[多项选择]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）
A. 把电桥移到磁场以外去测量
B. 使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值
C. 提高试验电压
D. 在被试设备上加装屏蔽罩
[多项选择]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）
A. 提高试验电压
B. 采用正接线方法
C. 用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰
D. 在被试设备上加装屏蔽罩
[判断题]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
[判断题]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
[判断题]使用QS1型交流电桥测量tanØ时，当试验现场有运行的高压电气设备，尤其有漏磁通较大的电搞器、阻波器，测试将受到它们形成的磁场干扰，造成tanØ值增大或减小。
[判断题]QS1型交流电桥测量时，接好线后首先，接通电源，合上光源开关，用“调零”旋钮，使光带位于中间位置，加试验电压，并将“tanØ”转至“接通”位置。接着增加检流计灵敏度，旋转调谐旋钮，找到谐振点，使光带展至最大宽度，再调节R3使光带缩窄。增加灵敏度按R3、C4、ρ的顺序反复调节，使光带缩至最窄（一般不超过4mm），这时电桥达到平衡。
[单项选择]QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。
A. 两端、高电位
B. 两端、低电位
C. 一端、低电位
D. 一端、高电位
