更多"为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。"的相关试题:
[判断题]晶体三极管集电结和发射结均于反向偏置时，三极管处于饱和状态。
[判断题]晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的。
[填空题]为了提高抗干扰能力，交流电源地线与（）不能共用。
[判断题]仪表抗干扰措施的唯一途径是提高仪表本身的抗干扰能力。
[填空题]在高频电路中为了提高PCB抗干扰能力，通常使用（）进行屏蔽和散热。
[单项选择]为了提高容量，增强抗干扰能力，在GSM系统中引入的扩频技术是（）
A. 跳频
B. 跳时
C. 直接序列扩
D. 脉冲线性调频
[单项选择]HH-Ⅰ型钻进式井壁取心器，为了提高抗干扰能力，微机间采用了载波调制式通讯方案，载波数据传输的主要参数中，载波频率为（）。
A. 100kHz
B. 125kHz
C. 150kHz
D. 175kHz
[简答题]什么是扩频？扩频系统是如何提高抗干扰能力的？
[单项选择]为了提高通讯抗干扰能力，厅外显示板SM-04-VRA必须串入终端电阻，下面哪一种说法是正确的（）
A. 在最顶层的显示板上同时短接终端电阻跳线JP5
B. 在最底层的显示板上同时短接终端电阻跳线JP5
C. 在中间层的显示板上同时短接终端电阻跳线JP5
D. 在任何一层的显示板上同时短接终端电阻跳线JP5都可以
[单项选择]在甚高频无线电话机中，为了提高调制频率高频段的信噪比和抗干扰能力，发射机部分设置了（）。
A. 自动增益控制电路
B. 自动频率控制电路
C. 预加重电路
D. 语音扩展器
[单项选择]以下哪项技术与提高无线抗干扰能力无关（）。
A. 跳频
B. 不连续发射
C. 动态功率控制
D. EFR
[单项选择]微机保护为提高抗干扰能力开关站至保护屏控制电缆屏蔽层接地方式为
A. 开关站接地，保护屏不接地
B. 开关站不接地，保护屏接地
C. 两侧接地
D. 两侧不接地
[简答题]为提高纵联保护通道的抗干扰能力，应采取哪些措施？
[判断题]信源编码是为了提高通信的可靠性，进行抗干扰编码或者说差错控制编码。
[判断题]采用扩频通信可以将被噪声淹没的信号正确解调出来，提高通信的抗干扰能力。
[单项选择]在反相器电路中，装上加速电容器的目的是为了（）。
A. 确保晶体三极管可靠截止
B. 确保晶体三极管可靠饱和
C. 提高开关速度、改善输出波形
D. 确保晶体三极管可靠截止或饱和
[单项选择]对于集成电路型、微机型保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是：（）必须经抗干扰处理。
A. 交流电流、交流电压回路
B. 直流电源入口处
C. 交流电流、交流电压回路和直流电源入口处
D. 交流电流、交流电压回路和直流电源出口处
[单项选择]为提高无线电力负荷控制系统的可靠性和抗干扰能力，可采取（）的措施。
A. 降低传输速度，减少信号重发次数；
B. 降低传输速度，增加信号重发次数；
C. 提高传输速度，增加信号重发次数；
D. 提高传输速度，减少信号重发次数。
