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发布时间:2024-01-07 07:21:16

[单项选择]与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。
A. 速度快
B. 集成度高
C. 功耗大

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[简答题]静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?
[简答题]MOS型半导体随机存储器可分为哪两种?
[单项选择]在半导体存储器中,动态随机存储器DRAM的特点是()。
A. 按位结构方式存储
B. 按字结构方式存储
C. 信息在存储介质中移动
D. 每隔一定时间进行一次刷新
[单项选择]P型半导体的特点是()
A. 自由电子浓度大于空穴的浓度
B. 空穴的浓度大于自由电子的浓度
C. 自由电子的浓度等于空穴的浓度
[简答题]污染物质在静态水域是如何传播的?与静态水域相比,污染物在动态水域的传播特点是什么?
[单项选择]半导体中的导电方式的最大特点是:()
A. 自由电子导电
B. 离子导电
C. 空穴导电
D. A或C
[判断题]与企业相比,事业单位的突出特点是非盈利性,与政府机关相比,事业团体的主要特点是权威性。
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[简答题]什么是静态路由?什么是动态路由?各自的特点是什么?
[单项选择]MOSFET管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管,其最重要的特点是();
A. 具有非常高的输入电阻;
B. 具有非常小的输入电阻;
C. 具有单向导通特性;
[单项选择]动态DRAM的特点是()。
A. 在不断电的条件下,其中的信息保持不变,因而不必定期刷新
B. 在不断电的条件下,其中的信息不能长时间保持,因而必须定期刷新
C. 其中的信息只能读不能写
D. 其中的信息断电后不会消失
[单项选择]跟DRAM相比,SRAM的特点是()
A. 每位晶体管数目多,访问时间短,抗干扰强,花费高
B. 每位晶体管数目多,访问时间长,抗干扰强,花费高
C. 每位晶体管数目少,访问时间长,抗干扰弱,花费高
D. 每位晶体管数目少,访问时间短,抗干扰强,花费低
[单项选择]动态RAM存储器的特点是()
A. 信息在断电后仍能保持
B. 不断电的情况下,信息不需刷新会自动保存
C. 信息不能随意更改
D. 信息必须在不断刷新的支持下才能保持
[单项选择]动态规划中的状态特点是()
A. 无前效应
B. 无后效应
C. 有前效应
D. 有后效应
[单项选择]数字信号相比于模拟信号的特点是()
A. 在时间轴上和幅度轴上都是离散的
B. 在时间轴上是连续的,在幅度轴上都是离散的
C. 在时间轴上是离散的,在幅度轴上都是连续的
D. 在时间轴上和幅度轴上都是连续的
[单项选择]与MIS相比,DSS具有的特点是()
A. 适用于处理结构化问题
B. 能替代决策者
C. 适合具体业务人员使用
D. 适用于处理非结构化问题
[判断题]一个理想的功率半导体器件的动态特性是在导通状态时,具有高的电流密度和低的导通压降。
[多项选择]垄断竞争与自由竞争相比,其特点是()
A. 竞争的目的是争夺垄断利润和垄断地位
B. 竞争的手段的更加多样化
C. 竞争的程度更加激烈
D. 竞争的范围从国内扩展到国外
E. 竞争的结果形成平均利润
[单项选择]与外存相比,内存的特点是()。
A. 容量小、速度快、成本高
B. 容量小、速度快、成本低
C. 容量大、速度快、成本高
D. 容量大、速度快、成本低

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