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[单项选择]场效应管除了结型场效应管外,还有()型场效应管;
A. 绝缘型;
B. IGBT型;
C. 稳压型;
[单项选择]结型场效应管可分为()。
A. MOS管和MNS管
B. N沟道和P沟道
C. 增强型和耗尽型
D. NPN型和PNP型
[填空题]场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。
[判断题]场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。
[单项选择]场效应管是()器件。
A. 电流控制
B. 电压控制
C. 光电控制
[单项选择]功率场效应管属于()。
A. 单极性电压控制元件
B. 单极性电流控制元件
C. 双极性电压控制元件
D. 双极性电流控制元件
[单项选择]电力晶体管的开关频率()电力场效应管。
A. 稍高于
B. 低于
C. 远高于
D. 等于
[单项选择]电力场效应管MOSFET()现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 防止二次击穿
D. 无静电击穿
[单项选择]场效应管栅极用()表示。
A. C
B. G
C. S
D. D
[判断题]功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区
[单项选择]电力场效应管指的是()。
A. MOSFET
B. GTO
C. IGBT
D. GTR
[单项选择]场效应管是()控制的器件。
A. 电阻
B. 电流
C. 电压
D. 功率
[单项选择]场效应管是()型控制元件。
A. 电压
B. 电流
C. 功率
D. 电阻