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[单项选择]交流晶体管调压器改变激磁电流的方法是（）
A. 通过改变三极管的饱和程度来改变激磁电流
B. 通过改变反馈深度而改变激磁电流
C. 通过改变激磁电路电压来改变激磁电流
D. 通过改变功放管的导通比来改变激磁电流
[单项选择]交流晶体管调压器中最后一级控制激磁电流的是（）
A. 正反馈调制电路
B. 负反馈调制电路
C. 功率放大电路
D. 整形放大电路
[单项选择]交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有（）
A. 提高晶体管的饱和深度或采用正反馈
B. 采用正反馈和负反馈
C. 提高晶体管的饱和深度和放大系数
D. 提高晶体管的放大倍数或采用负反馈
[单项选择]脉冲调宽式晶体管调压器的基本组成方块图依次包含以下几个主要部分（）
A. 调制电路，解调电路，整形放大和功率放大电路
B. 电压测量比较电路，整形放大，调制电路和功率放大电路
C. 电压测量比较电路，调制电路，解调和放大电路
D. 电压测量比较电路，调制电路，整形放大和功率放大电路
[单项选择]检查晶体管调压器可在调节器“F”和发电机“F”接线柱间串入（）表进行检查。
A. 电压
B. 电流
C. 转速
D. 电压、电流均可
[判断题]晶体管电压调压器必须与硅整流发电机配套使用。
[判断题]晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。
[单项选择]功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。
A. 一次击穿
B. 二次击穿
C. 临界饱和
D. 反向截止
[单项选择]电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。
A. 一次击穿
B. 二次击穿
C. 临界饱和
D. 反向截止
[单项选择]晶体管调节器，如果激励电流随着转速升高而增加，则（）。
A. 大功率管短路
B. 小功率管，稳压管短路
C. 调节器是好的
D. 大功率管断路
[单项选择]测重传感器激磁电流为（）。
A. 0.25mA～30mA
B. 0.30mA～0.35mA
C. 0.35mA～0.40mA
D. 0.45mA～0.50mA
[单项选择]J5型发电机的激磁绕组允许长时间通过的最大激磁电流为（）。
A. 5A
B. 9A
C. 8A
D. 10A
[单项选择]直流串励式起动机电枢电流与激磁电流的相互关系是（）。
A. 电枢电流大于激磁电流
B. 电枢电流小于激磁电流
C. 电枢电流与激磁电流相等
D. 电枢电流与激磁电流不等
[判断题]晶闸管和晶体管都能用小电流控制大电流，因此它们都具有放大作用。
[单项选择]测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的β为（）。
A. 40
B. 50
C. 60
D. 90
[判断题]晶体管点火装置初级电流比传统点火装置初级电流大。
[判断题]晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
[单项选择]感应同步器在同步回路中的阻抗和激磁电压不对称度以及激磁电流失真度小于（）不会对检测精度产生很大的影响。
A. 1％
B. 2％
C. 4.5％
D. 3.5％
[单项选择]高压隔离开关可通断激磁电流不超过（）安培的空载变压器。
A. 2
B. 5
C. 10
