更多"在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。"的相关试题:
[单项选择]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
[单项选择]杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶格缺陷
[单项选择]本征半导体载流子（）
A. 自由电子和空穴的浓度无法确定
B. 自由电子的浓度小于空穴的浓度
C. 自由电子的浓度大于空穴的浓度
D. 自由电子和空穴的浓度相等
[单项选择]本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）
A. 电子载流子
B. 空穴载流子
C. 电子载流子和空穴载流子
[填空题]在本征半导体中掺入微量五价元素可得到（）型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到（）型杂质半导体。
[单项选择]地面水中杂质的主要来源，下列说法不正确的是（）
A. 工农业废水的排人
B. 水中微生物的繁殖
C. 水流对河床的冲刷溶解
D. 泉水的流人
[简答题]什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明。
[填空题]蒸汽中杂质的主要来源是给水是以（）和（）两种方式进入蒸汽中的。
[填空题]（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
[单项选择]对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。
A. 与温度无关，与杂质浓度无关
B. 与温度有关，与杂质浓度有关
C. 与温度无关，与杂质浓度有关
D. 与温度有关，与杂质浓度无关
[单项选择]关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）
A. 自由电子和空穴总是成对出现
B. 电子可以自由移动，空穴不能自由移动
C. 在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
D. 自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
[单项选择]杂质半导体中少数载流子浓度（）
A. 与掺杂浓度和温度无关
B. 只与掺杂浓度有关
C. 只与温度有关
D. 与掺杂浓度和温度有关
[填空题]在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
[填空题]在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
[判断题]温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
[简答题]什么是非平衡载流子？请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。
[单项选择]N型杂质半导体中，多数载流子是（）
A. 正离子
B. 负离子
C. 空穴
D. 自由电子
[填空题]造成光纤衰减的主要因素有：本征、（）、挤压、杂质，不均匀和对接等。
[简答题]一般来说，铁是陶瓷生产的有害杂质。为什么？陶瓷生产中铁杂质的来源主要是什么？
