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发布时间:2024-03-09 04:05:22

[简答题]简述DRAM和SRAM的异同。

更多"简述DRAM和SRAM的异同。"的相关试题:

[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM比SRAM集成度高 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新 其中哪两个叙述是正确的
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单。②SRAM比DRAM成本高。③SRAM比DRAM速度快。④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新。其中哪两个叙述是错误的
A. ①和②
B. ②和③
C. ③和④
D. ①和④
[单项选择]下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。 Ⅰ DRAM比SRAM集成度高 Ⅱ DRAM比SRAM成本高 Ⅲ DRAM比SRAM速度快 Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的 ( )。 Ⅰ DRAM比SRAM集成度高 Ⅱ DRAM比SRAM成本高 Ⅲ DRAM比SRAM速度快 Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需刷新
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[简答题]简述SRAM和DRAM的各自特点。
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述, ①SRAM比DRAM存储电路简单 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度快 ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新 其中哪两个叙述是错误的
A. ①和②
B. ②和③
C. ③和④
D. ①和④
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述():①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
A. ①和②
B. ②和③
C. ③和④
D. ①和④
[单项选择]下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高 Ⅱ.SRAM比DRAM成本高 Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新 其中正确的叙述是( )。
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高
Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高
Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快
Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新
通常情况下,哪两个叙述是错误的?()


A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ. DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ. DRAM比SRAM成本高 Ⅲ. DRAM比SRAM速度快 Ⅳ. DRAM要刷新,SRAM不需刷新,其中正确的是
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:   Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高   Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高   Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快   Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,哪两个叙述是正确的?
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM 存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是【 】。 ①SRAM比DRAM存储电路简单 ②SRAM比DRAM成本高   ③SRAM比DRAM速度快 ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
A. ①和②
B. ②和③
C. ③和④
D. ①和④
[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高。 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快。 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新。 通常情况下,哪两个叙述是错误的?
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ
[单项选择]以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()
A. DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B. SRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感
C. SRAM主要用于高速缓存
D. SRAM具有双稳态特性

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