更多"[判断题]( ) 硅二极管死区电压为0.5 V，导通电压为0.7 V"的相关试题:
[判断题]硅二极管死区电压为0.5V， 导通电压为0.7v 。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5V，导通电压为0.7V。()
A.正确
B.错误
[判断题]176硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7v。（ ）
A.正确
B.错误
[单选题]硅二极管的单项导通电压（）。
A.掌握半导体的应用
B.0.5V
C.0.7V
D.0.9V
E.0.2V
F.略
G.略
H.略
[判断题]（ ）当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。
A.正确
B.错误
[判断题]( ) 锗二极管死区电压为0.1 V，导通电压为0.3 V。
A.正确
B.错误
[填空题]在常温下，硅二极管的门槛电压约为( )V，导通后在较大电流下的正向压降约为( )V；锗二极管的门槛电压约为 _( )_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_( )_V。
[简答题]硅二极管导通时，管压降为0.7伏。（ ）
[单选题](Jd5A1245).硅二极管的死区约为( )V左右
A.0.2
B.零
C.0.5
D.2
[判断题]175.锗二极管死区电压为0.1V,导通电压为0.3V。（ ）
A.正确
B.错误
[单选题]加在硅二极管两端的正向电压从0来时逐渐增加时,硅二极管( )。
A.立即导通
B.到0.3V时才开始导通
C.超过死区电压时才开始导通
D.不导通
[判断题]对应于正向电流很小的外加正向电压叫死区电压，通常硅管的死区电压为0.5V。
A.正确
B.错误
[单选题]某硅二极管反向击穿电压为150 V，则其最高反向工作电压。
A.约等于150 V
B.可略大于150 V
C.低于300 V
D.等于75 V
[单选题]某硅二极管反向击穿电压为。150v，则其最高反向工作电压（ ）。
A.约等于150v
B.可略大于150v
C.低于300v
D.等于75V
[单选题]硅二极管正向导通电压为( )。
A.0.1~0.3V
B.0.2~0.3V
C.0.5~0.7V
D.0.6~0.8V
