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[单选题]硅二极管导通状态接触电位差是( )。
A. 0.5V
B. 0.6V
C. 0.7V
D. 0.8V
[判断题]锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高
A.正确
B.错误
[单选题]产生静电的主要原因有接触电位差、由温度差产生的电位差、由压力差产生的电位差、()等。
A.电化学现象和物理摩擦现象
B.压力差异和物理摩擦现象
C.摩擦现象和电化学现象
D.电化学现象和界面电偶层
[判断题]在同样温度变化的情况下，硅二极管要比锗二极管性能稳定。
A.正确
B.错误
[单选题]当晶闸管导通后可依靠管子本身的( )作用。以至维持其导通状态。
A.放大
B.正反馈
C.负反馈
[单选题][T]AC011515
产生静电的主要原因有接触电位差、由温度差产生的电位差、由压力差产生的电位差、( )等。
A.电化学现象和物理摩擦现象
B.压力差异和物理摩擦现象
C.摩擦现象和电化学现象
D.电化学现象和界面电偶层
[判断题]同温下，硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流。 （ ）
A.正确
B.错误
[单选题]测二极管正向电阻时，若指针在标度尺的（ ）左右，为锗二极管。
A.2/3
B.3/4
C.1/3
D.1/4
[判断题]LBC20040晶体管只有两种工作状态,即饱和导通状态和截止关闭状态。( )
A.正确
B.错误
[判断题]用热电偶和电子电位差计组成的温度记录仪,当电子电位差计输入端短路时,记录仪指示在电子电位差计所处的环境温度上。
A.正确
B.错误
[判断题]在正常情况下,避雷器内部处导通状态。( )
A.正确
B.错误
[判断题]晶闸管工作中电压过零时，晶闸管处在导通状态。
A.正确
B.错误
[判断题]1551 在正常情况下,避雷器内部处在导通状态。( )
A.正确
B.错误
