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[简答题]编程将内部RAM 25H和26H单元的BCD码转换成压缩BCD码存放在30H单元中。
[简答题]将存放在内部RAM 40H、41H和外部RAM 8000H、8001H的四位BCD码相加，结果存放在内部RAM 40H、41H、42H单元中（假设低位字节存放在低地址中，高位字节存放在高地址中）。写出能实现功能的程序片段。
[简答题]将存放在内部RAM 的40H、41H和外部RAM的 8000H、8001H的16位二进制数相加，结果存放在内部RAM 的40H和41H单元中（假设低位字节存放在低地址中）。写出能实现功能的程序片段。
[简答题]编程将外部RAM 1500H～1507H单元内容送到内部RAM 30H～37H单元。
[简答题]编程将内部RAM 30H～3FH单元内容送到外部RAM 1000H～100FH单元。
[简答题]将内部RAM 80H单元内容与内部RAM 31H单元内容相加，结果存放到内部RAM的31H单元中。写出能实现功能的程序片段。
[简答题]试编写程序，查找在内部RAM的20H～40H单元中出现“00H”这一数据的次数。并将查找到的结果存入41H单元。
[简答题]试编写程序，查找在内部RAM的40H～60H单元中是否有0FFH这一数据。若有，则将51H单元置为“00H”；若未找到，则将51H单元置为“01H”。
[简答题]将外部RAM 8000H～0803FH单元，共64字节传送到以40H为首地址的内部RAM中。写出能实现功能的程序片段。
[简答题]在一般情况下，φ40H7与φ6H7相比，φ40H6/f5与φ40H6/s6相比，φ65H7/d6与φ65H7/h6相比，哪种配合应选用较小的表面粗糙度参数值？为什么？
[简答题]编程将程序存储器 2000H～200FH单元内容送到内部RAM 40H～4FH单元。
[简答题]将内部RAM 30H单元的内容求补后，送到31H单元。试编写程序。
[简答题]将R6寄存器的内容高4位与低4位交换，送到内部RAM 20H单元。试编写程序。
[简答题] 已知（30H）＝50H，AR2＝40H，AR3＝60H，AR4＝80H，则运行以下程序后，（30H）、（40H）、*AR3和AR4的值分别等于多少？ MVKD 30H， *AR2 MVDD *AR2， *AR3 MVDM *AR3， AR4
[单项选择]执行下列指令后，(CX)=( )。 TABLE DW 10H，20H，30H，40H，50H X DW3 LEA BX，TABLE ADD BX，X MOV CX，[BX]
A. 0030H
B. 0003H
C. 3000H
D. 2000H
[单项选择]执行下列指令后，(CX)值为( )。 TABLE DW 10H，20H，30H，40H，50H X DW 3 LEA BX, TABLE ADD BX，X MOV CX，[BX]
A. 0030H
B. 0003H
C. 3000H
D. 2000H
[简答题]在一般情况下，Φ40H7和Φ80H7相比，Φ40H6/j5和Φ40H6/s5相比，哪个应选用较小的粗糙度值？
[单项选择]执行下列指令后，(CX)值为( )。 TABLE DW 10H， 20H， 30H， 40H， 50H X DW 6 LEA BX， TAELE ADD BK， X MOV CX， [BX]
A. 0030H
B. 0003H
C. 0020H
D. 0040H
[单项选择]执行下列指令后，(CX)=( )。TABLE DW 10H，20H，30H，40H，50HX DW3 LEA BX，TABLE ADD BX，XMOV CX，[BX]
A. 0030H
B. 0003H
C. 3000H
D. 2000H
