更多"基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流"的相关试题:
[填空题]当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。
[单项选择]三极管发射极正向偏置，集电极反向偏置处于（）状态。
A. 放大
B. 饱和
C. 截止
[单项选择]三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）
A. Iceo=Icbo
B. Iceo=（β+1）Icbo
C. Iceo=βIcbo
[判断题]二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
[填空题]当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
[判断题]当温度增加时，集电极和发射极间的反向电流也增加。
[判断题]发射当晶体三使极管的基极电源结反向时，则晶体三极管的集电极电流将减小。
[填空题]由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
[单项选择]考虑到基区载流子的渡越时间，反向电流相角θr随频率提高，而（）。
A. 变大
B. 不变
C. 变小
[填空题]在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
[填空题]当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
[填空题]基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
[判断题]三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
[单项选择]电容三点式振荡电路中的集电极电阻用来防止集电极输出的（）。
A. 直流信号对地短路
B. 交流信号对地短路
C. 直流信号对地断路
D. 交流信号对地断路
[判断题]在集电极调幅电路中，ECC愈小，集电极电流脉冲凹陷越小。
[单项选择]在集电极调幅电路中，ECC愈小，集电极电流脉冲凹陷（）。
A. 越大
B. 不变
C. 越小
[填空题]晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
[判断题]晶体管放大电路中，集电极电阻RC的主要作用是向三极管提供集电极电流。（）
