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[判断题]高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高。
[单项选择]晶体管在高频情况下的放大能力随频率的增高而（）。
A. 增强
B. 下降
C. 不变
[单项选择]高频调谐功率放大器中，晶体管的外部特性指的是（）时，晶体管的输出特性和转移特性。
A. 无载
B. 有载
C. 重载
[单项选择]高频调谐功率放大器中，晶体管的内部特性指的是（）时，晶体管的输出特性和转移特性。
A. 无载
B. 有载
C. 重载
[判断题]高频调谐功率放大器中，晶体管的外部特性指的是有载时，晶体管的输出特性和转移特性。
[判断题]高频调谐功率放大器中，晶体管的内部特性指的是无载时，晶体管的输出特性和转移特性。
[单项选择]高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结（）。
A. 正偏
B. 反偏
C. 0偏置
[单项选择]压力管道的主要荷载是（），压力管道内直径D（m）和水压H（m）及其乘积HD值是标志压的特征值。
A. 径向力
B. 轴向力
C. 法向力
D. 内水压力
[判断题]高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
[判断题]高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于线性放大区。
[单项选择]高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于（）区。
A. 截止
B. 饱和
C. 线性放大
[填空题]晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。
[单项选择]在高频系统中同一级的晶体管和它的元器件应（）。
A. 尽量远离
B. 用导线相连
C. 远离散热器
D. 尽量靠近
[判断题] 高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的uces的变大。
[单项选择]压力管道的主要荷载是（），压力管道内直径D（m）和水压H（m）及其乘积HD值是标志压力管道规模及其技术难度的特征值。
A. 径向力
B. 内水压力
C. 轴向力
D. 法向力
[填空题]对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。
[单项选择]高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的工作在过压状态时（）。
A. 变大
B. 变小
C. 不变
[填空题]减少高频功放晶体管Pc的方法是：减少集电极电流的（）和在集电极电流流通时（）最小。
[单项选择]丙类高频功率放大器输出功率6W，当集电极效率为60%时，晶体管集电极损耗为（）。
A. 4W
B. 6W
C. 10W
D. 2.4W
