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[多选题]自耦变压器与普通双绕组变压器结构特点有（）
A.其低压绕组为高压绕组的一部分
B.只有磁的耦合，没有电的联系
C.没有有磁的耦合，有只电的联系。
D.既有磁的联系，又有电的联系。
[多选题]1.50. 第50题
自耦变压器与普通双绕组变压器结构特点有（ ）
A.其低压绕组为高压绕组的一部分
B.只有磁的耦合，没有电的联系
C.没有有磁的耦合，有只电的联系。
D.既有磁的联系，又有电的联系。
[判断题]变压器的绕组一般低压绕组在外层，高压绕组在里层。
A.正确
B.错误
[单选题]变压器低压绕组与铁芯之间和高压绕组与低压绕组之间均用（）隔开。
A.导线
B.金属板
C.隔板
D.绝缘
[单选题] 分裂绕组变压器低压侧的两个分裂绕组，它们各与不分裂的高压绕组之间所具有的短路阻抗( )。
A.相等
B.不等
C.其中一个应为另一个的2倍
D.其中一个应为另一个的3倍
[判断题]主变压器高压绕组、低压绕组均采用全绝缘，具有相同的绝缘水平
A.正确
B.错误
[判断题]1.287.
同一变压器各绕组绝缘介质损耗因数高压绕组小于低压绕组。
A.正确
B.错误
[判断题]变压器的额定电压比是指高压绕组与低压绕组或中压绕组的额定电压之比。
A.正确
B.错误
[判断题]1.287. 第287题
同一变压器各绕组绝缘介质损耗因数高压绕组小于低压绕组。
A.正确
B.错误
[单选题]双绕组变压器中,已知C1、tanδ1和C2、tanδ2分别为高压绕组对地和高压绕组对低压绕组两次测量所得的电容量和介质损耗因数,C12、tanδ12为高压绕组对地和低压绕组整体测量得到的电容、介质损耗因数,其测量数据关系正确的是( )。
A.tanδ12=(C1tanδ1+C2tanδ2)/(C1+C2)
B.tanδ12=(C1tanδ2+C2tanδ1)/(C1+C2)
C.tanδ12=(C1tanδ1-C2tanδ2)/(C1-C2)
D.tanδ12=(C2tanδ2+C12tanδ12)/(C2+C12)
[判断题]用2500V兆欧表测量变压器的绝缘电阻时，高压绕组对低压绕组的绝缘电阻测量值不得低于1000MΩ。（）
A.正确
B.错误
[判断题]1.347.
主变压器高压绕组、低压绕组均采用全绝缘,具有相同的绝缘水平。
A.正确
B.错误
[判断题]配电变压器的绕组,按同心方式排列,低压绕组靠近铁芯柱,高压绕组套在低压绕组的外面。( )
A.正确
B.错误
