更多"某一晶体管谐振功率放大器,已知Vcc=24V,IC0=250mA,P0"的相关试题:
[简答题] 某一晶体管谐振功率放大器,设已知Ec=24V,Po=5W,Ic0=250mA,电压利用系数等于1。求Ic1m,ηc,Pc,Rc?
[简答题]某一晶体管功率放大器,已知Ec=24V,Po=5W,Ic0=250mA,电压利用系数ζ=1.求Ps,ηc,Rc,Ic1m?
[简答题] 某谐振功率放大器,当Vcc=24V,电压利用系数ξ=0.9,负载谐振阻抗RP=160Ω,管子饱和压降 Vces=2.4V,输入激励电压振幅值Vbm=6V,求: (1)集电极回路输出电压振幅值Vcm,集电极电流振幅值Icm1,输出功率P0。 (2)试说明该放大器工作在何种工作状态?当激励电压Vbm增加时,放大器过渡到何种工作状态?
[简答题] 某谐振功率放大器,已知Ec=24V,输出功率Po=5W,晶体管集电极电流中的直流成分Ic0=250mA,输出电压Ucm=22.5V,试求:直流电源输入功率Ps;集电极效率ηc;谐振回路谐振电阻Rc?
[填空题]晶体管V1的=50,晶体管V2的=30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的p约为()。
[简答题] 已知谐振功率放大器,晶体管转移特性的斜率Eb=-0.2V,Ec=24V,Uj=0.6V,gcr=0.4A/V,Rc=50Ω,Ubm=1.6V,Po=1W,求Icmax,Ucm,ηc?
[简答题] 某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS,Uj=0.5V,Ec=24V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2V,gc=10mS,且放大器工作于临界状态。试求:θ,Ic0,Ic1m,Ucm?
[简答题] 某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.5mS,Uj=0.6V,Ec=24V,Eb=-0.2V,输入电压Ubm=2V,Rc=50Ω。试求:Icmax,Ucm,ηc?
[简答题] 晶体管功率放大器工作于临界状态,已知Ec=35V,Rc=200Ω,Ic0=100mA。求Po,ηc?
[单项选择]绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力晶体管。
A. 低于
B. 等于
C. 稍高于
D. 明显高于
[单项选择]OTL电路负载电阻RL=10Ω,电源电压VCC=10V,略去晶体管的饱和压降,其最大不失真输出功率为()W。
A. 10
B. 5
C. 2.5
D. 1.25
[单项选择]电子点火装置的分类:电感放电式有触点晶体管点火系;()无触点晶体管点火系;电容放电式有触点晶体管点火系;电容放电式无触点晶体管点火系。
A. 电池放电式
B. 电极放电式
C. 电感放电式
D. 电容放电式
[单项选择]电子点火装置的分类:电感放电式有触点晶体管点火系;电感放电式无触点晶体管点火系;()有触点晶体管点火系;电容放电式无触点晶体管点火系。
A. 电容放电式
B. 电感放电式
C. 电池放电式
D. 电极放电式
[判断题]TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。
[简答题]解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别。
[填空题]晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的()特性。
[简答题] 解释下列磁敏传感器: ①磁敏电阻与磁敏晶体管有哪些不同? ②磁敏晶体管与普通晶体管的不同之处是什么? ③磁敏电阻与霍尔元件属同一类磁电转换元件,在本质上有什么不同?