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[单项选择]单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。
A. 谷点
B. 峰点
C. 阴极
D. 阳极
[单项选择]单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。
A. 变小
B. 不变
C. 变大
D. 其它
[判断题]单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通。
[判断题]单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
[单项选择]当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时，就导通。
A. 额定
B. 峰点
C. 谷点
D. 安全
[判断题]单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变大，RB2则与发射极电流无关。
[判断题]单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。
[单项选择]单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（）。
A. 富阻区
B. 截止区
C. 饱和区
[单项选择]单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。
A. 电阻
B. 电容
C. 阻容
D. 电感
[单项选择]晶体管导通的条件是：（）
A. 阴极与阴极间加正向电压
B. 阴极与阴极加正电压，控制极与阴极间也加适当正向电压：
C. 控制极与阴极间加正向电压
[单项选择]全桥式功率转换电路中，当一组高压开关管导通时，截止晶体管上施加的电压为（）。
A. 输入电压
B. 1/2输入电压
C. 2倍的输入电压
D. 1/3输入电压
[填空题]当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。
[判断题]推挽式功率变换电路中VT1管导通时，在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压（2E）一对开关管均截止时，它们的集电极施加电压均为E/2。
[单项选择]要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。
A. 在栅极加正电压
B. 在集电极加正电压
C. 在栅极加负电压
D. 在集电极加负电压
[判断题]晶体管一旦导通，Ic就一定受Ib的控制。
