更多"计算硅在-78℃，27℃，300℃时的本征费米能级，假定它在禁带中间合"的相关试题:
[判断题]费米能级是对金属中自由电子能级填充状态的描述。
[简答题]施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。
[判断题]费米能级是，在T＝0K时，金属原子中电子被填充的最高能级，以下能级全满，以上能级全空。
[单项选择]当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
A. 1
B. 1/2
C. 1/3
D. 2/3
[单项选择]在温度T=300K，比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。（）
A. 1.74%
B. 2.74%
C. 3.74%
D. 4.74%
[简答题]掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。
[简答题]掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。
[多项选择]能级原理中的能级层次一般分为（）。
A. 实施层
B. 执行层
C. 操作层
D. 决策层
E. 管理层
[判断题]根据鲍林的原子轨道能级图可以看到，第4能级组发生了能级交错，4s电子的能量比3d的能量要低，因此，填充电子的时候，一定要先填4s轨道，填满后才能填3d轨道。
[判断题]在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。
[单项选择]单维谐振子的最低能级与第三个能级的间隔是（）
A. hν/2
B. 3hν/2
C. 4hν/2
D. 6hν/2
E. 9hν/2
[判断题]一般情况下，本征半导体导电是依靠本征激发作用的。
[单项选择]本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）
A. 电子载流子
B. 空穴载流子
C. 电子载流子和空穴载流子
[判断题]我们说某能级是非简并的，就是指该能级只与一个量子状态相对应。
[判断题]能级原则是把具有不同能级的人按能力高低有机地组合在一起。（）
