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[简答题] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？
[简答题]计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
[判断题]在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。
[简答题]以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。
[单项选择]当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
A. 1
B. 1/2
C. 1/3
D. 2/3
[判断题]根据性质分类可将杂质分为无机杂质、有机杂质两类。
[判断题]杂质度检测时，若过滤板上杂质的含量介于标准板上两个含量之间，则样品的杂质度应以杂质含量低的那个值计。（）
[填空题]氧化精炼时，杂质及其氧化物在铜液中的（）愈大，则该杂质愈难除去；杂质对氧的（）愈小，则该杂质愈难氧化，因而愈难脱除。
[单项选择]信号杂质
A. 药物纯净程度
B. 自然界中存在较广泛，在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质
C. 在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质
D. 杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
E. 药物中所含杂质的最大的允许量
[单项选择]杂质限量是指药物中所含杂质的
A. 最大允许量
B. 最小允许量
C. 最低检出量
D. 平均含量
E. 定测含量
[单项选择]A、B、C三药的LD50分别为20、40、60mg/kg；ED50分别为10、10、20mg/kg三药安全性大小的顺序应为
A. A＞C＞B
B. B＞A＞C
C. B＞C＞A
D. A＞B＞C
E. C＞B＞A
[判断题]铜中残留杂质的浓度与该杂质金属的活度系数成反比，而与渣相中该杂质金属氧化物的活度成正比，因此为了最大限度地除去铜中的杂质，在氧化精炼过程中需要选择加入适当的熔剂和及时地排渣，以降低渣相中杂质金属氧化物的活度。
[多项选择]应当定期将产品的杂质分析资料与注册申报资料中的杂质档案，或与以往的杂质数据相比较，查明（）变更所致原料药质量的变化。
A. 原料
B. 设备运行参数
C. 生产工艺
D. 生产设备
