更多"有一块掺磷的n型硅，ND=1015cm-3，分别计算温度为①77K；②"的相关试题:
[简答题] 给定内存空闲分区，按地址从小到大为：100K、500K、200K、300K和600K。现有用户进程依次分别为212K、417K、112K和426K，（1）分别用first-fit、best-fit和worst-fit算法将它们装入到内存的哪个分区？ （2）哪个算法能最有效利用内存？
[简答题]在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，计算77K时的Nc和NV。
[单项选择]计算建筑面积中高低联跨的单层建筑物，需分别计算面积时，应以( )为界分别计算。
A. 高跨结构内边线
B. 高跨结构外边线
C. 低跨结构外边线
D. 低跨结构内边线
[单项选择]ADF无计算数据时ND上有何指示？（）
A. 红色故障旗
B. 划线代替识别符号出现
C. 地面台参数和指针消失
D. 都不是
[多项选择]霍尔元件是N型半导体制成的扁平长方体，扁平边缘的两对侧面分别引出（）电极。
A. 激励电极
B. 保护电极
C. 霍尔电极
D. 差动电极
[判断题]N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。
[简答题]
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×1015cm-3，计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
[简答题]施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。
[判断题]N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
[简答题]制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
[简答题]砖墙面和混凝土墙面或梁面计算抹灰时是否分别计算，墙上梁如何计算抹灰工程量？
[判断题]监控装置采用循环实时计算方式分别计算常用制动模式限速值和紧急制动模式限速值（称计算模式限速值），其计算时间间隔不大于30ms。
[判断题]硅太阳能电池一般制成p+/n型结构或n+/P型结构。
[简答题]在确定多组用电设备总的视在计算负荷和计算电流时，可否将各组的视在计算负荷和计算电流分别直接相加？为什么？应如何正确计算？
[单项选择]N型受体的阻断剂是
A. 筒箭毒
B. 阿托品
C. 倍他乐克
D. 酚妥拉明
E. 西咪替丁
[判断题]本质安全型、n型、浇封型防爆电气设备都可以用于0区域。
[单项选择]外置型天线的接口类型一般属于N型（）。
A. 公头
B. 母头
