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[判断题]电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等，其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后，测得的电容量Cx变大。
A.正确
B.错误
[判断题]电压互感器的电容屏间绝缘局部层次击穿短路后，测得的电容量C<sub>x</sub>变大。
A.正确
B.错误
[判断题]电流互感器的电容屏间绝缘局部层次击穿短路后，测得的电容量C<sub>x</sub>变大。
A.正确
B.错误
[判断题]少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等，严重缺油后，测量的电容量变小。
A.正确
B.错误
[单选题]少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等，严重缺油后，测量的电容量Cx变大。
A.正确
B.错误
C.lue
D.lue
E.lue
F.lue
G.lue
H.lue
[判断题]少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等，严重缺油后，测量的电容量CX变大。
A.正确
B.错误
[单选题]少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等，严重缺油后，测量的电容量C<sub>x</sub>(____)。
A.变大
B.变小
C.不变
D.不能确定
[单选题]少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等，严重缺油后，测量的电容量Cx(____)。
A.变大
B.变小
C.不变
D.不能确定
[判断题]耦合电容器的电容屏间绝缘局部层次击穿短路后，测得的电容量C<sub>x</sub>变大。
A.正确
B.错误
[填空题](____)试验能有效发现电容型电流互感器底部进水受潮缺陷。
[填空题]当电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时，应测量末屏对地tgδ，其值不应大于(____)。
[判断题]套管的电容屏间绝缘局部层次击穿短路后，测得的电容量C<sub>x</sub>变小。
A.正确
B.错误
