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发布时间:2023-11-28 06:17:34

[判断题]一般来说,硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。

更多"一般来说,硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。"的相关试题:

[单项选择]如果二极管的反向电压大于最大反向电压,则二极管可能()。
A. 正向工作
B. 已被击穿
C. 内部断路
D. 不确定工作状态
[单项选择]二极管两端正向电压大于()时,二极管才导通。
A. 击穿电压
B. 开启电压
C. 夹断电压
D. 直流电压
[单项选择]硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。
A. 0.5V
B. 0.7V
C. 0.4V
D. 0.2V
[填空题]硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
[判断题]当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反中向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。()
[判断题]加在二极管上的电压和流经二极管的电流的关系叫做二极管的伏安特性。
[单项选择]硅管与锗管的死区电压分别为()。
A. 0.7,0.3
B. 0.3,0.7
C. 0.5,0.2
D. 0.2,0.5
[单项选择]对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。
A. 0.7
B. 0.5
C. 0.2
D. 0.3
[判断题]单相桥式整流电路,二极管承受的反向电压与半波整流二极管承受的反向电压相同。()
[判断题]二极管长期工作时,允许加到二极管两端的最高反向电压称为最高反向工作电压。
[判断题]采用900接线的功率方向继电器,两相短路时无电压死区。
[单项选择]因为晶体二极管具有正向导通和反向截止特性。晶体二极管在电路中承受-5V电压,晶体二极管中流过的电流是( )。
A. 500mA
B. -500mA
C. 0.001mA
D. 0.01mA
[单项选择]二极管的最高反向电压为击穿电压的()。
A. 1/2
B. 1/3
C. 2/3
D. 1/5
[单项选择]单相整流电路中,二极管承受的电压的最大值出现在二极管()。
A. 截止时
B. 导通时
C. 由导通转截止时
D. 无法确定
[填空题]为了减小和消除电压死区,方向性电流保护在实际应用中采用()作为接入功率方向元件的电压参考相量。
[简答题]LED发光二极管与普通整流二极管有什么不同?LED发光二极管的工作电流和导通电压范围分别是多少?

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