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[判断题]N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。
[判断题]N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
[判断题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。
[单项选择]N型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子
B. 电流
C. 空穴
D. 电荷
[填空题]在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
[单项选择]N型杂质半导体中，多数载流子是（）
A. 正离子
B. 负离子
C. 空穴
D. 自由电子
[判断题]P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
[填空题]在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
[单项选择]P型半导体中多数载流子是（）。
A. 正离子
B. 负离子
C. 自由电子
D. 空穴
[单项选择]在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。
A. 正离子数
B. 负离子数
C. 质子
D. 原子
[单项选择]在P型半导体中多数载流子是（）。
A. 电子
B. 离子
C. 空穴
D. 杂质
[单项选择]P型半导体的少数载流子是（）。
A. 质子
B. 自由电子
C. 空穴
D. 负离子
[单项选择]P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）
A. 不带电的
B. 带正点的
C. 带负电的
[单项选择]本征半导体载流子（）
A. 自由电子和空穴的浓度无法确定
B. 自由电子的浓度小于空穴的浓度
C. 自由电子的浓度大于空穴的浓度
D. 自由电子和空穴的浓度相等
[单项选择]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
[单项选择]在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。
A. 正离子数
B. 负离子数
C. 质子
D. 原子
[单项选择]半导体中的少数载流子产生的原因是（）
A. 外电场
B. 内电场
C. 掺杂
D. 热激发
[单项选择]杂质半导体中少数载流子浓度（）
A. 与掺杂浓度和温度无关
B. 只与掺杂浓度有关
C. 只与温度有关
D. 与掺杂浓度和温度有关
