更多"现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有"的相关试题:
[单项选择]现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步，电桥测量无法平衡时，应采用的正确方法是（）。
A. 桥体加反干扰源
B. 将试验电源移相或选相、倒相
C. 改用与干扰源同步的电源作试验电源
[单项选择]用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。
A. 可以试品一端接地
B. 试品设在高压端
C. 不适用于现场试验
D. 操作方便
[单项选择]用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用正接法（）。
A. 需要试品两端对地绝缘
B. 试品设在低压端
C. 适用于现场试验
D. 需要注意操作人员安全
[单项选择]如果测量值异常（测量值偏大或增量偏大），可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线，测量电压从（）kV到Um/√3。
A. 1
B. 2
C. 5
D. 10
[判断题]油浸式消弧线圈绕组连同套管的介质损耗因数，介质损耗因数未超标准限值，但有显著性差异，开展B类检修，根据试验数据适时安排相关工作，停电试验前开展D类检修，加强巡视、红外检测。
[单项选择]电容器中的介质损耗或电缆中的绝缘损耗是因为实际上不存在理想的电容器可以使得电流刚好超前电压（）。
A. 180°
B. 90°
C. 60°
D. 30°
[单项选择]适合测量损耗小的电容器的电桥是（）电桥。
A. 串联电容
B. 并联电容
C. 海氏
D. 串联欧文
[单项选择]适合测量损耗大的电容器的电桥是（）电桥。
A. 串联电容
B. 并联电容
C. 海氏
D. 串联欧文
[简答题]为什么说测量电气设备的介质损耗因数tgδ，对判断设备绝缘的优劣状况具有重要意义？
[单项选择]在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。
A. 选相倒相法：正、反相测得值的差别较大，有时可达±50%及以上
B. 外加反干扰电源补偿法：补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
C. 变频测量方法：测量的稳定性、重复性及准确性较差
[多项选择]变压器套管介质损耗因数介损超过标准要求（）。
A. 结合套管电容量、绝缘电阻、油色谱等诊断性试验结果进行综合分析
B. 开展B类检修更换套管
C. 结合套管电容量、绝缘电阻等诊断性试验结果进行综合分析，开展C类检修更换套管
D. 结合套管电容量、绝缘电阻、油色谱等诊断性试验结果进行综合分析，开展A类检修更换套管
[多项选择]电容量和介质损耗因数试验中现场测量存在（）干扰影响时，应采取相应措施进行消除。
A. 电场
B. 磁场
C. 机械波
D. 引力波
[单项选择]变压器油中水分增加可使油的介质损耗因数（）。
A. 降低；
B. 增加；
C. 不变；
D. 恒定。
[多项选择]电流互感器出厂验收标准卡中，电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为（）。
A. 对于油浸式电流互感器，参照GB20840.2-2014中表209的要求，分电容型和非电容型进行考核
B. 对于35kV以上电压等级的合成薄膜式的电流互感器，10kV~Um√3电压下介质损耗因数tanδ小于等于0.25%
C. 对于Um≥252kV的油浸式电流互感器，在0.5Um/√3~Um/√3的测量电压下，介质损耗因数（tanδ）测量值的增值不应大于0.001
D. 对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏（末屏），在测量电压为3kV下的介质损耗因数（tanδ）允许值不应大于0.02
[单项选择]多节串联的容性设备的电容量和介质损耗因数，应（）。
A. 分节独立测量
B. 整体测量
C. 只测量第一节
D. 分节测量取平均值
[单项选择]耦合电容器的电容单元进行耐电压及局放试验之后，在0.9～1.1倍（）下进行电容复测及介质损耗正切值测量。
A. 最大电压
B. 最小电压
C. 额定电压
D. 电压有效值
[多项选择]按照油浸式接地变压器检修策略，绕组连同套管介质损耗因数超标，开展（）检修，根据试验情况适时安排接地变干燥及油处理等相关工作。
A. A类
B. B类
C. C类
D. D类
[多项选择]电流互感器出厂验收标准卡中，绝缘油验收的介质损耗因数tanδ（90℃）%验收标准为（）。
A. 500kV及以上：应小于等于1.0%
B. 500kV及以上：应小于等于0.5%
C. 66kV-330kV：应小于等于1.0%
D. 66kV-330kV：应小于等于0.5%
[多项选择]《变电检测电容量和介质损耗因数试验细则》中规定，试验结果判断分析，将结果与有关数据比较，包括同一设备的各相的数据，（）比较等。
A. 同类设备间的数据
B. 出厂试验数据
C. 耐压前后数据
D. 与历次同温度下的数据
