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[填空题]一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。
[单项选择]虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
A. 低于
B. 高于
C. 等于
D. 不高于
[简答题]测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
[填空题]测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
[填空题]焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
[单项选择]规定的焦饼中心温度（）。
A. （800±50）℃
B. （900±50）℃
C. （1000±50）℃
[判断题]改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。
[单项选择]焦饼中心的温度为（）
A. 1000±50℃
B. 1000℃
C. 1000±20℃
D. 900℃
[判断题]改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
[填空题]焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
