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[单选题]2.296. 第296题
现场用电桥测量介质损耗因数时,如果标准电容器受潮,有可能出现测得介损值为负值。
A.正确
B.错误
[判断题]现场用电桥测量介质损耗因数,出现?tanδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tanδN>tanδx;②电场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。
A.正确
B.错误
[判断题]西林电桥测试介质损耗时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离的测量。
A.正确
B.错误
[判断题]现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数,出现试验电源与干扰电源不同步,电桥测量无法平衡时,应采用的正确方法是桥体加反干扰源。
A.正确
B.错误
[单选题]2.147.
用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用（ ）抗电场干扰好，测量误差较小。
A.正接线
B.反接线
C.对角接线
D.低压测量
[判断题] 耦合电容器,只要监测其绝缘介质损耗因数,不需要监测其电容量的相对变化。()
A.正确
B.错误
[单选题]2.147. 第147题
用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用( )抗电场干扰好,测量误差较小。
A.正接线
B.反接线
C.对角接线
D.低压测量
[单选题]现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数,出现外界磁场干扰时,应采用的正确方法是( )。
A.将电桥放置方向改变或远离干扰源
B.将试验电源移相或选相、倒相
C.改用与干扰源同步的电源作试验电源
D.桥体加反干扰源
[单选题]2.292.
现场用电桥测量电容型设备的介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因不包括（）
A.标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx
B.试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响
C.空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
D.采用反接法进行测量
[判断题]采用介质损电桥的正、反接线进行测量时,其介质损耗的测量结果是相同的。
A.正确
B.错误
[单选题]2.292. 第292题
现场用电桥测量电容型设备的介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因不包括()
A.标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx
B.试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响
C.空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
D.采用反接法进行测量
[判断题]衡量一个电容器的性能和指标有电容量、绝缘电阻、介质损耗和耐压等，其中主要的是电容量和耐压两个指标。
A.正确
B.错误
[多选题]以下设备可用于测量介质损耗的有()。
A.介质试验器
B.凯尔文电桥
C.智能型介质损耗测量仪
D.西林电桥
[多选题]关于测量介质损耗因数描述正确的是()。
A.介质损耗因数试验属于特性试验
B.介质损耗因数试验是非破坏性试验
C.介质损耗因数试验灵敏性差
D.在并联回路中的介质损耗因数是介于各并联分支中的最大值和最小值之间
E.测量介质损耗因数不易发现局部缺陷
[单选题]2.295. 第295题
当电容器组中电容器元件有少量损坏时,测试绝缘电阻、介质损耗和电容量都能及早发现电容器内部存在的严重缺陷。
A.正确
B.错误
