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[单选题]现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数,出现试验电源与干扰电源不同步,电桥测量无法平衡时,应采用的正确方法是( )。
A.桥体加反干扰源
B.将试验电源移相或选相、倒相
C.改用与干扰源同步的电源作试验电源
D.将电桥移位,远离干扰源
[判断题]现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tgδ,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tgδ值均比真实的tgδ值大。()
A.正确
B.错误
[多选题]利用西林电桥测量损耗角正切值的影响因素有.()o
A.外界电磁场干扰
B.温度
C.试验电压
D.试品表面泄漏
[判断题]用西林电桥测量介质损耗角正切值存在严重的磁场干扰和电场干扰,用数字介损测量仪测量干扰要小得多。()
A.正确
B.错误
[单选题]试品电容量约为15000pF。当用10kVQS1型西林电桥测量其tanδ及C时,电桥分流器档位宜设置在( )档。
A.0.01
B.0.025
C.0.06
D.0.15
[单选题] 采用西林电桥测量介质损耗角正切值时,通过调节可调电阻R和可变电容C使检流计指零,电桥平衡,这时()就是被试设备的tanδ值。
A.可调电阻R的电阻值
B. 可变电容
C.指示的电容量(单位取μ)值
D.可调电阻R的电阻值与可变电容
E.指示的电容量之和
[判断题]在QS1型西林电桥测量操作中,若分流器档位设置电流值小于试品实际电流值,则电桥R3的调节值需趋向较小限值,电桥才可能趋向平衡。
A.正确
B.错误
[判断题]用高压西林电桥测量介质损耗时,C4的微法数即为被试品的介损。
A.正确
B.错误
[判断题]在西林电桥测量操作中,若分流器挡位设置电流值小于试品实际电流值,则电桥R3的调节值需趋向较小限值,电桥才可能趋向平衡。()
A.正确
B.错误
[判断题]在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
A.正确
B.错误
[判断题]90 采用西林电桥测量介质损耗角正切值时,通过调节可调电阻R和可变电容C使检流计指零,电桥平衡,这时可变电容C指示的电容量(取μF)值就是被试设备的tanδ值。
A.正确
B.错误
[单选题]用西林电桥测量小电容试品的tan6时,如连接试品的Cx引线过长,则应从测得值中减 去引线引入的误差值,此误差值为()。
A.WC0R3
B.-WC0R3
C.WC0R4
D.-WC0R4
[单选题]用西林电桥测量小电容试品的tgδ时,如连接试品的Cx引线过长,则应从测得值中减去引线引入的误差值,此误差值为( )。(其中C0为Cx引线增长部分的电容值;R3为测试时桥臂R3的读数;R4为桥臂R4的值)
A.ωC0R3
B.#NAME?
C.ωC0R4
D.#NAME?
[判断题]tan6值的测量,最常用的是西林电桥
A.正确
B.错误
[单选题]试品电容量约15000pF,使用QS1型西林电桥,施加10kV测量其tgδ时,电桥分流器位置宜选定在()档位置。
A.0.01
B.0.025
C.0.06
D.0.15
[判断题]测量介质损耗角正切值最常用的仪器设备是西林电桥,当被试品一极接地时应采用正接法,此时调节元件R3、C3处于高电位。()
A.正确
B.错误
[单选题] 西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品整体与地隔离时的测量。
A. 正接线
B. 反接线
C. 交叉接线
[单选题] 西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
A. 正接线
B. 反接线
C. 交叉接线