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[单选题] 测量试品tanδ时,试品绝缘表面脏污.受潮,试品电容量对测量结果的影响是()。
A. 试品电容量越大,影响越大
B. 试品电容量越小,影响越小
C. 试品电容量越小,影响越大
D. 与试品电容量的大小无关
[判断题] 当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
A.正确
B.错误
[判断题]当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
A.正确
B.错误
[判断题] 测量小电容试品的tgδ时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的
A.正确
B.错误
[判断题]M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻。
A.正确
B.错误
[单选题] .用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用()抗电场干扰好,测量误差较小。
A. 正接线
B. 反接线
C. 对角接线
D. 低压测量
[判断题]当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
A.正确
B.错误
[判断题]电阻、电感、电容可以用万用表直接测量。
A.正确
B.错误
[判断题] 试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tanδ和C测量结果的影响程度与试品电容量的大小无关
A.正确
B.错误
[判断题] 在相同条件下,用西林电桥测量小电容试品的tanδ和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题] 在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
A.正确
B.错误
[单选题]试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损及电容量测量结果影响程度是（ ）。
A.试品电容量越大，影响越大
B.试品电容量越小，影响越小
C.试品电容量越小，影响越大
D.与试品电容量大小无直接关系
[判断题] 小电容(小于500PF)试品、主要有电容型套管、 电容型电流互感器等、对这些试品采用介损仪正、 反接线进行测量、测得的介损tgδ值是一样的。
A.正确
B.错误
[多选题] 在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时,受外界影响的因素很多,往往引入很多误差,这类试品主要是指()。
A. 变压器
B. 耦合电容器
C. 电流互感器
D. 变压器套管
[判断题]QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。
A.正确
B.错误
[判断题] 进行电容型试品末屏介损测量时、期试验电压一般不应超过(2)kV。
A.正确
B.错误
[判断题]5 1 1
用数字万用表测较大的电容时，应先对电容
短路放电后测量；测电阻时，不可以带电测
量。
A.正确
B.错误
[判断题]在进行线路正序、零序电容测量，双回路耦合电容测量后，应立即将线路导线对地放电
A.正确
B.错误
