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[判断题]晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及 MOS 型场效应管延时电路三种来实现。( )
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘栅双极型晶体管不具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。( )
A.正确
B.错误
[填空题](64199)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以( )晶体管作为基极,以电力晶体管作为发射极与集电极复合
而成。(2.0分)
[填空题](64418)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以( )晶体管作为基极,以电力晶体管作为发射极与集电极复合
而成。(2.0分)
[判断题]()晶体管图示仪是测量晶体管的专用仪器,对晶体管的参数既可定性测量又可定量测量。
A.正确
B.错误
[单选题]晶体管—晶体管电路形式指是()(4052)
A.DTL
B.TTL
C.AGC
D.VCO
[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度( )电力晶体管。
A.低于
B.等于
C.稍高于
D.明显高于
[单选题]双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号 ( ) 。
A.均为电压控制
B.均为电流控制
C.双极型晶体管为电压控制,场效应晶体管为电流控制
D.双极型晶体管为电流控制,场效应晶体管为电压控制
[判断题]绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管。
A.正确
B.错误
[单选题]双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为( )。
A.电压
B.电流
C.双极型为电压、场效应为电流
D.双极型为电流、场效应为电压
[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应晶体管的开关频率。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[判断题]()在单结晶体管触发电路中,单结晶体管工作在关状态。
A.正确
B.错误
[判断题]当晶体管的发射结正偏时,晶体管一定工作在放大区。
A.正确
B.错误
[单选题]晶体管触发电路输出的触发功率与单结晶体管触发电路相比( )。
A.较大
B.较小
C.一样
D.无法确定