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[判断题]探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。
A.正确
B.错误
[判断题]探头晶片尺寸增加,半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中。
A.正确
B.错误
[单选题]探头晶片尺寸( ),近场区长度增加,对近表面探伤不利。
A.增加
B.减小
C.不变
D.平方关系
[填空题]探头晶片尺寸_____,半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中,对探伤有利。
[单选题]选择较小尺寸的探头晶片探伤( )。
A.
有利于发现缺陷
B.
不利于对缺陷定位
C.
可提高探伤灵敏度
D.
有利于对缺陷定位
[单选题]探头晶片尺寸愈大,其灵敏度( )。
A.越高
B.越低
C.不变
D.与尺寸无关
[单选题]探头晶片尺寸愈大其灵敏度就( )。
A.越高
B.越低
C.不变
D.无关
[单选题]较小的探头晶片尺寸发射的超声波束,其远场覆盖面积( )。
A.大
B.小
C.不变
D.窄
[单选题]探头晶片尺寸大,辐射的超声波能量( ),探头未扩散区扫查范围大,远距离扫查范围相对变小,发现远距离缺陷能力增强。
A.增加
B.减小
C.不变
D.平方关系
[判断题]探头晶片的尺寸愈大其灵敏度越高。
A.正确
B.错误
[单选题]探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法,称为
A.斜射法
B.水浸法
C.接触法
D.穿透法
[判断题]探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法,称为斜射法
A.正确
B.错误