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[单选题] 直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。(1.0分)
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（ ）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（ ）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.A.O.35
B.B.0.5
C.C.0.6
D.D.0.7
[单选题] 直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
