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发布时间:2023-11-06 22:02:20

[判断题]对500kV单相自耦变压器的电容型套管本体进行介损及电容量测试时,应将高中压、中性点短接接高压试验线,低压绕组短接接地,被试套管的末屏接Cx线,“正接线”的测试方式。( )
A.正确
B.错误

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[单选题]对500kV单相自耦变压器的电容型套管本体进行介损及电容量测试时,应将高中压、中性点短接接高压试验线,低压绕组短接接地,被试套管的末屏接Cx线,采用( )测试方式。
A. 正接线;
B. 反接线;
C. 反接线+M屏蔽;
D. “CVT”法
[多选题]对500kV单相自耦变压器的电容型套管本体进行介损及电容量测试时,应将( )短接接高压试验线,低压绕组短接接地,被试套管的末屏接Cx线,采用“正接线”方式。
A. 高压
B. 中压
C. 中性点
D. 铁心
[单选题]500kV自耦变压器中性点安装小电抗作用是()。
A.限制500kV短路电流
B.限制220kV短路电流
C.限制35kV短路电流
D.限制10kV短路电流
[判断题]500kV自耦变压器的中性点直接接地是为了,以避免当高压侧电网发生单相接地时,防止中性点位移,在中压绕组的其他两相出现过电压
A.正确
B.错误
[单选题]500kV自耦变压器的绝缘水平()。
A.高压半绝缘、中压全绝缘、低压全绝缘
B.高压、中压、低压全绝缘
C.高压全绝缘、中压全绝缘、低压全绝缘
D.高压、中压半绝缘、低压全绝缘
[单选题]500kV自耦变压器分接头安装在()。
A.高压侧
B.中压侧
C.低压侧
D.中性点
[判断题]对500kV单相自耦变压器的进行低压绕组对高、中压绕组及地的介损及电容量测试时,应采用“正接线”的测试方式。( )
A.正确
B.错误
[单选题]500kV自耦变压器绕组共用的电压等级是()。
A.高压与低压
B.高压与中压
C.中压与低压
D.都不是
[多选题]13005】采用星形接线的500kV自耦变压器,低压侧带有三角形接线,其作用是( )。 ( )
A. 补偿三次谐波,改善电压波形
B. 消除因三次谐波产生的高频电流对通信线路的干扰
C. 避免可能出现的谐波过电压
D. 可以连接低抗,补偿系统中过剩的容性无功功率,提高电压合格率
[判断题]测量变压器电容型套管的介质损耗因数和电容量时,其所属绕组的线端与中性点(有中性点引出者)必须短 接一起加压,其他非被测绕组则短接接地。
A.正确
B.错误
[判断题]测量装在三相变压器的任一相电容型套管的介损和电容量时,其所属绕组的三相线端与中性点(有中性点引出者)必须短接一起加压,其他非被测绕组则短接接地,否则会造成较大的误差。( )
A.正确
B.错误
[判断题]进行电容器电容量测试时,尽量避免通过熔丝测量。如有内置熔丝,应注意测试电流的大小。( )
A.正确
B.错误
[单选题]电容型设备相对电容量是指( )
A.被试设备与参考设备电容量的差值
B.被试设备与参考设备电容量的比值
C.参考设备与被试设备电容量的差值
D.参考设备与被试设备电容量的比值
[单选题]一个电容器C和一个电容量为2μF的电容器串联后,总电容量为电容器C的电容量1/3,那么电容器C的电容量是( )。
A.3μF
B.4μF
C.6μF
D.8μF
[单选题]3.162. 第162题
电容型设备介质损耗因数和电容量带电测试数据处理分析中,电容量比值(Cx/Cn)与初始测量值比较,初值差不超过()
A.±5%
B.±2%
C.±3%
D.±1%

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