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[判断题]晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。
A.正确
B.错误
[单选题]三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[判断题]三极管处于饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏
A.正确
B.错误
[判断题]三极管处于放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏
A.正确
B.错误
[判断题]三极管工作在放大区时必须保证发射结正偏，集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]半导体三极管能够放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]晶体三极管工作在放大区时,集电结应正偏置,发射结应反偏置。
A.正确
B.错误
[单选题]晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置,晶体三极管处于( )工作状态。
A.放大
B.截止
C.饱和
D.开路
