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[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[单选题]晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将( )。
A.随基极电流的增加而增加
B.随基极电流的增加而而减小
C.与基极电流变换无关,只取决于UCC和RC
[单选题]晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）
A.发射结、集电结均正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结正偏、集电结反偏
D.发射结反偏、集电结正偏
[单选题]晶体三极管要处于饱和状态必须满足( )。( )
A.发射结集电结均正偏
B.发射结集电结均反偏
C.发射结正偏集电结反偏
D.发射结反偏集电结正偏
[单选题]CNC机床的I/O接口电路中,通常为了提高系统的抗干扰能力而采用的隔离元器件是( )。
A.二极管
B.三极管
C.阻容元
D.光电耦合器
[判断题]PLC 的输入采用光耦合来提高抗干扰能力( )
A.正确
B.错误
[判断题]( )CNC机床的I/O接口电路中,通常为了提高系统的抗干扰能力而采用的隔离元器件是光电耦合器。
A.正确
B.错误
[判断题]利用ERZ 编码以增强电路的抗干扰能力，因此可以提高系统的信噪比
A.正确
B.错误
[判断题]为提高抗干扰能力，允许用电缆芯线两端接地的方式替代电缆屏蔽层
的两端接地。
A.正确
B.错误
[单选题]
微机保护为提高抗干扰能力,一次设备场所至保护屏控制电缆的屏蔽层接地方式为(____)。
A. 开关站接地,保护屏不接地
B. 开关站不接地,保护屏接地
C. 两侧接地
D. 两侧不接地
[判断题]电磁敏感度从不同角度反映了装置、设备或系统的抗干扰能力。一般
来说，敏感度越低，抗干扰度越髙。
A.正确
B.错误
[判断题]调幅比调频抗干扰能力强。
A.正确
B.错误
[单项选择]( )抗干扰能力差，不能采用MIG方法。
A. 焊接机器人
B. 大厚度焊件
C. 超强度板
D. 质量较大构件
[单项选择]通过信息技术在工程管理中的开发和应用能实现（），从而可提高数据传输的抗干扰能力，使数据传输不受距离限制并可提高数据传输的保真度和保密性。
A. 信息处理和变换的程序化
B. 信息传输的数字化和电子化
C. 信息流扁平化
D. 信息存储数字化和存储相对集中
[判断题]安全气囊必须具有很强的抗干扰能力。
A.正确
B.错误
[单选题]在下列传输介质中,抗干扰能力最强的是
A.微波
B. 同轴电缆
C. 光纤
D. 双绞线
