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[判断题]待试设备绕组的频率响应特性与分接开关的位置有关,建议在最高分接位置下测量,或者应保证每次测量时分接开关均处于相同的位置。
A.正确
B.错误
[多选题]待试设备绕组幅频响应特性曲线中( )的变化,是分析待试设备绕组变形的重要依据。
A.A:波峰位置
B.B:波峰数量
C.C:波谷位置
D.D:波峰数量
[多选题]绕组频率响应分析,待试设备绕组变形检测应在( )进行,应根据接线要求和接线方式,逐一对待试设备的各个绕组进行检测,分别记录幅频响应特性曲线。
A.A:所有直流试验项目之后
B.B:方便接线的任何时候
C.C:所有直流试验项目之前
D.D:在待试设备绕组充分放电以后
[多选题]在进行绕组频率响应分析时,()和()测量端应与待试设备绕组端头稳定、可靠联接,减小接触电阻。
A.A:激励信号
B.B:频率信号
C.C:响应信号
D.D:振动信号
[多选题]待试设备绕组的频率响应特性与分接开关的位置有关,一般在()测量。
A.A:在最高分接位置下
B.B:在最低分接位置下
C.C:每次测量时分接开关均处于相同的位置
D.D:每次测量时都在运行位置
[判断题]绕组变形应在额定分接下测量。
A.正确
B.错误
[判断题]变压器绕组之间的感应过电压可能超过低压绕组和连接在低压绕组上的电气设备的绝缘水平,造成绝缘击穿事故。
A.正确
B.错误
[多选题]短路阻抗试验时待试设备要求有()。
A.A:待试设备处于检修状态
B.B:设备外观清洁、无异常
C.C:设备上无各种外部作业
D.D:待试设备处于运行状态
[单选题] 磁极上有两个绕组,其中一个绕组与电枢绕组并联,另一个绕组与电枢绕组串联,这种连接方式是()电动机。
A.串励
B.并励
C.复励
[单选题]三绕组自耦变压器高中压侧绕组额定容量相等,公共绕组及低压绕组容量仅为高中压侧绕组额定容量的(____)倍,其中K12为高中压侧变比。
A. 1/ K12
B. 1-1/ K12
C. 1/ K12-1
D. K12
[判断题]多绕组设备进行绝缘试验时,非被试绕组应予短路接地。
A.正确
B.错误