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发布时间:2023-11-13 05:18:45

[单选题]三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成()部分。
A.一
B.二
C.三
D.四
E.略
F.略
G.略
H.略

更多"[单选题]三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN"的相关试题:

[单选题]三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是(),两侧部分是发射区和集电区。
A.主区
B.基区
C.从区
D.收集区
E.略
F.略
G.略
H.略
[单选题]三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是()。
A.发射区
B.基区
C.集电区
D.核心区
[多选题]采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,通常是(),在它们的交界面就形成空间电荷区,称为PN结。
A.硅
B.锌
C.锂
D.锗
[单选题]大小相等.方向相反的两个平行力作用在构件上,其力的作用线相距很近的受力方式,称为( )。
A.A.挤压
B.B.剪切
C.C.弯曲
D.D.扭转
[单选题]当作用在杆件上的两个大小相等、方向相反的横向力,相距很近时,将引起杆件产生(  )变形。
A. 拉伸与压缩
B. 剪切
C. 扭转
D. 弯曲
[单选题]构件受到一对大小相等、方向相反且作用线相距很近的作用力时,两个作用线间的截面发生相对错动的变形叫()变形。
A.拉伸或压缩.
B.剪切.
C.扭转.
D.弯曲
[单选题]对半导体三极管,测得发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )
A.放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.无法确定
[简答题]双极型半导体三极管的三个基本电极是:
[简答题]场效应型半导体三极管的三个基本电极是:
[单选题]半导体三极管由( )个PN结和三个电极构成。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
[简答题]描述双极型半导体三极管放大能力的最常用参数、单位及符号是:
[简答题]描述场效应半导体三极管放大能力的最常用参数、单位及符号是:
[简答题]晶体三极管具有三个电极三个PN结的半导体元件。( )
[单选题]晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流( )作用,是电子电路的核心元件
A.减小
B.无关
C.引导
D.放大

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