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[单选题]电磁式电压互感器的绝缘支架介质损耗角正切值tanδ及电容量试验项目属于（____）。
A. 交接试验
B. 例行试验
C. 诊断性试验
D. 特性试验
[判断题]测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,防止外界磁场干扰的主要措施是将测量仪器尽量远离干扰源。
A.正确
B.错误
[单选题]35kV半绝缘电磁式电压互感器的介质损耗角正切值tanδ及电容量测试的试验电压为（____）。
A. 2kV
B. 0.5kV
C. 5kV
D. 10kV
[单选题]35kV半绝缘电磁式电压互感器的介质损耗角正切值tanδ及电容量反接法测试接线时一次绕组（____）接仪器的HV端，二次绕组短路接地。
A. 短路接地
B. 悬空
C. 开路
D. 短路
[单选题]电流互感器交接试验时介质损耗角正切值tanδ油浸式电流互感器：66～110kV不大于（）%。
A.0.5
B.0.6
C.0.8
D.2.5
[判断题]电流互感器交接试验时介质损耗角正切值tanδ油浸式电流互感器：66～110kV不大于0.6%。
A.正确
B.错误
[判断题]电流互感器交接试验时介质损耗角正切值tanδ油浸式电流互感器：20～35kV不大于3%。
A.正确
B.错误
[判断题]油浸式电流互感器电气试验时，介质损耗角正切值tanδ要求20～35kV不大于2.5%，66～110kV不大于0.8%，220kV不大于0.6%，330～750kV不大于0.5%。（20℃下换算值）。
A.正确
B.错误
[单选题]介质损耗角正切值tanδ试验中，正接线测量时介损仪测量回路处于（____）。
A. 低电位
B. 高电位
C. 地电位
D. 零电位
[单选题]介质损耗角正切值tanδ试验中，反接线测量时介损仪测量回路处于（____）。
A. 低电位
B. 高电位
C. 地电位
D. 零电位
[单选题]在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tanδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。
A.过零比较检测方法：测量结果的分散性稍大
B.变频测量方法：测量的稳定性、重复性及准确性较差
C.外加反干扰电源补偿法：补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
D.选相倒相法：正、反相测得值的差别较大，有时可达±50%及以上
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G.lue
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[单选题]测量电气设备介质损耗角正值tanδ时消除电场干扰影响的方法中利用外加的特制可调电源向测量回路上施加一个反干扰电压，使电桥平衡后再加试验电压的方法称为( )。
A.屏蔽法
B.干扰平衡法
C.选相倒相法
[多选题]对某大容量变压器分解试验时,测得其套管的电容量和tanδ分别为C1=1000pF,tanδ1={#X1#}%,而测量一次绕组对二次绕组及地的电容量和tanδ分别为C2=20000pF,tanδ2={#X2#}%。若对此变压器进行整体测试,则测得的tanδ=____%。（计算结果保留两位小数）
A.4,0.2
B.5,0.25
C.lue
D.lue
E.lue
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G.lue
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[判断题]电容量不等的电容器，充入相等的电荷，电容器中储存的电场能量和电容成反比。
A.正确
B.错误
[单选题]在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tanδ，采用变频测量方法测量的稳定性、重复性及准确性较差。
A.正确
B.错误
C.lue
D.lue
E.lue
F.lue
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[多选题]测量某110kV电容式套管的介损tanδ,为消除电场干扰,用倒相法进行两次测量。第一次R31＝796Ω,tanδ1＝{#X1#}%,第二次R32＝1061Ω,-tanδ＝{#X2#}%,分流器在0.01档,试验时温度为30℃,则第二次测量的tanδ1实际值=____%,该套管在30℃时的tanδ2=____%。（计算结果保留两位小数）
A.4.3,2
B.4.5,2.2
C.4.7,2.4
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F.lue
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H.lue
[单选题]现场用西林电桥测量设备绝缘的tanδ，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tanδ值均比真实的tanδ值大。
A.正确
B.错误
C.lue
D.lue
E.lue
F.lue
G.lue
H.lue
