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发布时间:2023-10-29 06:47:27

[单选题]单结晶体管触发电路中,单结晶体管发射极的电容容量变大,控制角( )。
A.变小
B. 不变
C.变大
D.其它

更多"[单选题]单结晶体管触发电路中,单结晶体管发射极的电容容量变大,控制角"的相关试题:

[判断题]单结晶体管触发电路中,单结晶体管发射极的电容容量越大,控制角变小。( )
A.正确
B.错误
[单选题]单结晶体管发射极的文字符号是()。
A.. C
B.. D
C.. E
D.. F
[判断题]当单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时,单结晶体管关断。
A.正确
B.错误
[单选题]单结晶体管的发射极电压升到( )电压时,单结晶体管就导通。
A.谷点
B.峰点
C.阴极
D.阳极
[多选题]判断单结晶体管发射极e的方法是:把万用表置于()挡,黑表笔接假设的发射极,红表笔接另外两极,当出现两次低电阻时,黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
A.R×10Ω
B.R×100Ω
C.R×1kΩ
D.R×10kΩ
[判断题]单结晶体管当发射极和基极之间的电压超过峰点电压时,单结晶体管导通。 (  )
A.正确
B.错误
[判断题]单结晶体管电路,如发射极电压等于峰点电压UP时,单结晶体管导通,导通后,当发射极电压减小到小于UV时,管子由导通变为截至。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时,单结晶体管导通。
A.正确
B.错误
[单选题]单结晶体管发射极开路时,基极b1,b2之间的电阻一般为2~10Ω,其数值随温度上升而()。
A.上升
B.增大
C.减小
D.降低
[多选题]单结晶体管发射结处于(),发射极只有很小的漏电流ICEO。
A.反向偏置
B.电压
C.正向导通
D.管子截止
[单选题]单结晶体管触发电路是利用接在发射极的( )充放电原理制作。
A.电阻
B.电容
C.阻容
D.电感
[判断题]单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极( )。
A.正确
B.错误
[单选题]单结晶体管是具有两个基极和一个发射极的三端()器件,用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等特点。
A.负阻
B.稳定
C.电子
D.稳压
[单选题]单结晶体管触发电路通过调节()来调节控制角。
A..电位器
B..电容器
C..变压器
D..电抗器
[判断题]区间补偿电容容量一般载频频率高,补偿电容容量大;最少道碴电阻高,补偿电容容量大。
A.正确
B.错误
[判断题]区间补偿电容容量一般载频频率低,补偿电容容量大;最少道碴电阻低,补偿电容容量大。
A.正确
B.错误
[判断题]用单结晶体管的触发电路的优点是电路简单,可靠性高,适用于大容量的可控硅电路。
A.正确
B.错误
[单选题]单相全波可控整流电路,若控制角变大,则输出平均电压( )。
A.不变
B.变小
C.变大
D.为0

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