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[单选题]用末端屏蔽法测量110kV串级式电压互感器的tanδ时，在试品底座法兰接地、电桥正接线、C<sub>x</sub>引线接试品x、xD端条件下，其测得值主要反映的是(____)的绝缘状况。
A.一次绕组对二次绕组及地
B.处于铁心下心柱的1/2一次绕组对二次绕组之间
C.铁心支架
D.处于铁心下心柱的1/2一次绕组端部对二次绕组端部之间
[单选题]用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tanδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、C<sub>x</sub>引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映(____)的绝缘状况。
A.一次绕组及下铁心支架对二次绕组及地
B.处于下铁心下心柱的1/4一次绕组及下铁心支架对二次绕组及地
C.处于下铁心下心柱的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁心支架对壳之间
D.上下铁心支架
[单选题]进行110kV串级式电磁式电压互感器的介损测量时，建议采用()。
A.A、末端加压法
B.B、三倍频法
C.C、自激法
D.D、末端屏蔽法
[简答题]试述110kV串级式电压互感器支架更换工艺。
[多选题]110kV电磁式电压互感器励磁特性测量点至少包括额定电压的（）。
A.A:0.2
B.B:0.5
C.C:0.8
D.D:1
E.E:1.2
