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[单选题]进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.5
B.0.6
C.0.7
D.0.8
[单选题]进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持（）m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
E.略
F.略
[单选题]进行晶闸管（可控硅）低压通电试验时，试验人员应与试验带电体保持（ ）m以上的安全距离，试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（ ）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.A.O.35
B.B.0.5
C.C.0.6
D.D.0.7
[单选题] 直流换流站阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，作业人员应与试验带电体位保持（）m以上距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]在阀厅内进行晶闸管（可控硅）高压试验时，工作人员应与试验带电体之间保持足够的安全距离，试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩，防止被可能产生的（）伤害。
A.谐振过电压
B.试验感应电
C.工频过电压
D.操作过电压
