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[单选题]超声波探伤激励晶片振动的电脉冲产生于( )。
A.接收电路
B.同步电路
C.发射电路
D.扫描电路
[单选题]超声波定位方法是利用放电产生的超声波信号和电脉冲信号之间的（ ），或直接利用各超声波信号的时差、幅值变化等方法来进行定位。
A.时差
B.位置差
C.幅差
D.相差
[单选题]超声波检测仪中,产生高压电脉冲以激发探头工作的电路单元称为( )。
A.放大器
B.接收器
C.脉冲发生器
D.同步器
[单选题]探头中的换能器通常用压电晶片来制作，当压电晶片受发射电脉冲激励后产生振动，即可发射声脉冲，为( )效应。
A.逆电压
B.正电压
C.压电
[单选题]常用于探伤的压电晶片，其基频主要取决于( )
A.施加压电脉冲的长度
B.仪器的脉冲放大器的放大特性
C.压电晶体的厚度
D.以上均不正确
[判断题]超声波探伤中，晶片表面和零件表面之间使用耦合剂的原因是空气间隙会使超声波完全反射。
A.正确
B.错误
[简答题]探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些有利因素？
[判断题]用单晶片探伤时，探头只能发射或接受超声波。
A.正确
B.错误
[单选题]当超声波作用于晶片时，晶片受迫振动引起的形变可转换成相应的电信号,为( ).
A.逆压电
B.正压电
C.压电
D.压差
[单选题]增加涡流探伤的激励频率，则圆棒金属材料中心的涡流密度( )。
A.增加
B.为零
C.减小
D.不变
[判断题]探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。( )
A.正确
B.错误
[单选题]用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用( )探伤。
A.纵波接触法
B.水浸探伤法
C.横波接触法
D.表面波接触法
[单选题]探头晶片尺寸( ),近场区长度增加,对近表面探伤不利。
A.增加
B.减小
C.不变
[判断题]探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤方法，称为斜射法。
A.正确
B.错误
[单选题]探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法称为( ）。
A.斜射法
B.水浸法
C.接触法
D.穿透法
[判断题]超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较大的探头。
A.正确
B.错误
[判断题]超声波探伤,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。( )
A.正确
B.错误
