更多"[判断题]当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被"的相关试题:
[判断题]分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2……tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的介于最大与最小值之间。
A.正确
B.错误
[单选题]用介损仪反接线测量小电容量试品(＜50PF)的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。
A.大
B.相等
C.小
D.以上均不是
[单选题]试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在()档位置。
A.0.01
B.0.025
C.0.06
D.0.15
[单选题]几个被试品分别测得介损值为tgδ1、tgδ2……tgδn，当串联在一起时，测得的介损值为每个试品介损值的（ ）。
A.最小值
B.平均值
C.最大值
D.介于最大与最小之间
[单选题]被试品的电容量为10000PF，测量介损tgδ时加压10kV,试验变压器容量选择应不小于()kVA
A.0.05kVA
B.0.5kVA
C.1.0kVA
D.1.5kVA
[判断题]用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
A.正确
B.错误
[单选题]必须拆除高压引线才能进行介损试验的耦合电容器包括()。
A.110kV耦合电容器
B.220kV耦合电容器
C.330kV耦合电容器
D.500kV耦合电容器
[单选题]试品电容量约为15000pF。当用10kVQS1型西林电桥测量其tanδ及C时，电桥分流器档位宜设置在( )档。
A.0.01
B.0.025
C.0.06
D.0.15
[判断题]用高压西林电桥测量介质损耗时,C4的微法数即为被试品的介损。
A.正确
B.错误
[单选题]测量介损tgδ通常不能发现的设备绝缘缺陷是()
A.整体受潮
B.整体劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺陷
[单选题]用西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为( )。(其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值)
A.ωC0R3
B.#NAME?
C.ωC0R4
D.#NAME?
[单选题]测量变压器绕组绝缘的介损tgδ时，非被测绕组应()。
A.对地绝缘
B.短路
C.开路
D.短接后接地
[单选题]一般电气设备随着绝缘受潮其绝缘电阻下降，泄漏电流增加，介损tgδ值()。
A.增加
B.不变
C.减少
D.以上均不是
[判断题]一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
A.正确
B.错误
[单选题]采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映()
A.全部绕组的绝缘状态
B.1/2绕组的绝缘状态
C.1/4绕组绝缘状态
D.只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
[判断题]高压试验用高压引线截面积应满足正常试验电流和击穿后瞬时电流要求，不得使用保险丝作为高压引线和短接线。
A.正确
B.错误
