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[单选题]电力场效应晶体管 MOSFET适于在( )条件下工作
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
[单选题]电力场效应晶体管 MOSFET是理想的( )控制器件。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.功率
[填空题]门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表。( )10反向击穿按机理不同(雪崩击穿、齐纳击穿)两种形式。
[单选题]场效应晶体管根据它的导电沟道可分为N沟道场效应管和 ( ) 场效应管两种。
[1分]
A.G沟道
B.P沟道
C.绝缘栅型
D.结型
[判断题]电力场效应晶体管 MOSFET在使用时要防止静电击穿。( )
A.正确
B.错误
[单选题]电力场效应晶体管的优点下列选项中错误的是？(____)。
A.无二次击穿问题
B.开关速度慢
C.安全工作区宽
D.工作频率高
[填空题]请标出下面元件的简称：功率场效应晶体管（）。
[单选题]功率场效应晶体管分为哪两种类型？(____)。
A.阻抗型、漏型
B.结型、绝缘栅型
C.混合型、复合型
D.单极型、双极型
[单选题]在放大电路中，场效应晶体管工作在漏极特性曲线的（ ）区域
A.可调电阻区
B.饱和区
C.击穿区
D.负阻区
[判断题]功率场效应晶体管（Mosfet）按栅极电压幅值可分为:耗尽型和增强型。
A.正确
B.错误
[单选题] 绝缘栅双极晶体管的开关速度( )电力晶体管。
A.低于
B.等于
C.稍高于
D.明显高于
[单选题] 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的( )。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高
[判断题]结型场效应晶体管外加的栅源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,能保证其Rs大的特点。( )
A.正确
B.错误
[判断题]电力晶体管的开通和关断时间与SCR和GTO相比是三者中最短的。所以电力晶体管的工作频率比SCR和GTO都高。
A.正确
B.错误
[判断题] 逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 逆变器输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力晶体管。( )
A.正确
B.错误
