半导体物理
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[简答题]半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态,其物理意义如何?
[简答题]纯锗,硅中掺入III或Ⅴ族元素后,为什么使半导体电学性能有很大的改变?杂质半导体(p型或n型)应用很广,但为什么我们很强调对半导体材料的提纯?
[简答题]说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?
[简答题]何谓深能级杂质,它们电离以后有什么特点?
[简答题]原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同,原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。
[简答题]描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念,用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
[简答题]有效质量对能带的宽度有什么影响,有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此,为什么?
[简答题]什么叫杂质补偿,什么叫高度补偿的半导体,杂质补偿有何实际应用。
[简答题]为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级?
[简答题]以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系,为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?
[简答题]从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化?外场对电子的作用效果有什么不同;
[简答题]说明掺杂对半导体导电性能的影响。
[简答题]什么是半导体的共掺杂?
[简答题]有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍.这两块晶体价带中的能级数是否相等,彼此有何联系?
[简答题]简述有效质量与能带结构的关系;
[简答题]说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同?
[简答题]一般来说,对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此,为什么?
[简答题]为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述?
[简答题]为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变磁场方向时只能观察到一个共振吸收峰。
[简答题]把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中,杂质的电离能和轨道半径是否不同?把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中(例如锗和硅),杂质的电离能和轨道半径又是否都相同?
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