半导体物理
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[单项选择]半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的()
A. 散射机构;
B. 复合机构;
C. 杂质浓度梯度;
D. 表面复合速度。
[单项选择]欧姆接触是指()的金属-半导体接触。
A. Wms=0
B. Wms<0
C. Wms>0
D. 阻值较小并且有对称而线性的伏-安特性
[单项选择]空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比,载流子迁移率要高,这是因为()
A. 无杂质污染
B. 晶体生长更完整
C. 化学配比更合理
D. 宇宙射线的照射作用
[单项选择]重空穴是指()
A. 质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B. 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C. 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D. 自旋-轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
[单项选择]金属-SiO
2
-p型Si构成的MIS结构中,SiO
2
中分布的可动正电荷不会影响()。
A. 半导体表面势
B. 平带电压
C. 平带电容
D. 器件的稳定性
[单项选择]简并半导体是指()的半导体。
A. (EC-EF.或(EF-EV)≤0
B. (EC-EF.或(EF-EV)≥0
C. 能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D. 导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
[简答题]在本征半导体中进行有意掺杂各种元素,可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质,它们分别影响半导体哪些主要性质;什么是杂质补偿?杂质补偿的意义何在?
[单项选择]一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()
A. 1/4
B. 1/e
C. 1/e
2
D. 1/2
[单项选择]可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性,如一种半导体材料的霍尔系数为负值,该材料通常是()
A. n型
B. p型
C. 本征型
D. 高度补偿型
[单项选择]如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是()
A. 禁带变宽
B. 少子迁移率增大
C. 多子浓度减小
D. 简并化
[单项选择]不考虑表面态的影响,如需在n型硅上做欧姆电极,以下四种金属中最适合的是()。
A. In(Wm=3.8eV)
B. Cr(Wm=4.6eV)
C. Au(Wm=4.8eV)
D. Al(Wm=4.2eV)
[单项选择]下面说法正确的是()
A. 空穴是一种真实存在的微观粒子
B. MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D. 同一种半导体材料中,电子迁移率比空穴迁移率高
[单项选择]GaAs具有微分负电导现象,原因在于在强电场作用下,()
A. 载流子发生能谷间散射
B. 载流子迁移率增大
C. 载流子寿命变大
D. 载流子浓度变小
[单项选择]若某材料电阻率随温度升高而单调下降,该材料是()
A. 本征半导体
B. 杂质半导体
C. 金属导体
D. 简并半导体
[单项选择]半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于()
A. 复合机构
B. 散射机构
C. 禁带宽度
D. 晶体结构
[单项选择]对大注入条件下,在一定的温度下,非平衡载流子的寿命与()。
A. 平衡载流子浓度成正比
B. 非平衡载流子浓度成正比
C. 平衡载流子浓度成反比
D. 非平衡载流子浓度成反比
[单项选择]下面说法错误的是()
A. 若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度
B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C. 处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D. 半导体中,导带电子都处于导带底Ec能级位置
[单项选择]为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()
A. 【100】
B. 【111】
C. 【110】
D. 【111】或【110】
[单项选择]如果温度升高,半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是()。
A. 变大,变大
B. 变小,变小
C. 变小,变大
D. 变大,变小
[单项选择]锗的晶格结构和能带结构分别是()
A. 金刚石型和直接禁带型
B. 闪锌矿型和直接禁带型
C. 金刚石型和间接禁带型
D. 闪锌矿型和间接禁带型
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