半导体物理
当前位置:
首页
>
学历类
>
大学试题
>
工学类
>
电子与通信技术
> 半导体物理
搜索
[单项选择]当施主能级ED与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的()倍。
A. 1
B. 1/2
C. 1/3
D. 2/3
[单项选择]在温度T=300K,比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。()
A. 1.74%
B. 2.74%
C. 3.74%
D. 4.74%
[填空题]对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
[简答题]说明pn结空间电荷区如何形成?
[简答题]漂移运动和扩散运动有什么不同?两者之间有什么联系?
[单项选择]对一定的半导体,其本征载流子浓度()。
A. 与温度无关,与杂质浓度无关
B. 与温度有关,与杂质浓度有关
C. 与温度无关,与杂质浓度有关
D. 与温度有关,与杂质浓度无关
[填空题]半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有()、()、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
[填空题]从能带角度来看,锗、硅属于()半导体,而砷化稼属于()半导体,后者有利于光子的吸收和发射。
[单项选择]在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
A. 锗
B. 磷
C. 硼
D. 锡
[填空题]()杂质可显著改变载流子浓度;()杂质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心。
[填空题]如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为()禁带半导体,否则称为()禁带半导体。
[单项选择]对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近E
i
。
A. E
c
B. E
v
C. E
g
D. E
F
[判断题]N型半导体的费米能级在本征费米能之上。
[简答题]请解释什么是肖特基势垒二极管,并说明其与pn结二极管的异同。
[简答题]请解释什么是欧姆接触?如何实现?
[填空题]半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:()的直接复合和通过禁带内的()进行复合。
[填空题]半导体的晶格结构式多种多样的,常见的Ge和Si材料,其原子均通过共价键四面体相互结合,属于()结构;与Ge和Si晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成()和纤锌矿等两种晶格结构。
[简答题]试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。
[填空题]通常把服从()的电子系统称为非简并性系统,服从()的电子系统称为简并性系统。
[填空题]反向偏置pn结,当电压升高到某值时,反向电流急剧增加,这种现象称为pn结击穿,主要的击穿机理有两种:()击穿和()击穿。
<<
<
4
5
6
7
8
>
>>
相关试卷: