半导体物理
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[单项选择]同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4,mn*/m0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是()
A. 甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B. 甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C. 甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D. 甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
[单项选择]硅的晶格结构和能带结构分别是()
A. 金刚石型和直接禁带型
B. 闪锌矿型和直接禁带型
C. 金刚石型和间接禁带型
D. 闪锌矿型和间接禁带型
[填空题]间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为();形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为()。
[名词解释]能带
[单项选择]如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()
A. 施主
B. 受主
C. 复合中心
D. 陷阱
E. 两性杂质
[单项选择]与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量()
A. 比绝缘体的大
B. 比绝缘体的小
C. 和绝缘体的相同
[单项选择]对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
A. 上移
B. 下移
C. 不变
[单项选择]一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
A. 1/4
B. 1/e
C. 1/e2
D. 1/2
[单项选择]本征半导体是指()的半导体。
A. 不含杂质与缺陷;
B. 电子密度与空穴密度相等;
C. 电阻率最高;
D. 电子密度与本征载流子密度相等。
[填空题]能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的(),引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的()的作用。
[名词解释]深杂质能级
[单项选择]MOS器件绝缘层中的可动电荷是()
A. 电子;
B. 空穴;
C. 钠离子;
D. 硅离子。
[单项选择]对大注入下的直接复合,非子寿命与平衡载流子浓度()
A. 无关;
B. 成正比;
C. 成反比;
D. 的平方成反比
[填空题]两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带()电,达到热平衡后两者的费米能级()。
[单项选择]在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,它和()有关
A. 杂质浓度和温度
B. 温度和禁带宽度
C. 杂质浓度和禁带宽度
D. 杂质类型和温度
[单项选择]电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体()
A. 各处出现的几率相同
B. 各处的相位相同
C. 各元胞对应点出现的几率相同
D. 各元胞对应点的相位相同
[单项选择]在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压,在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中,如半导体为P型,则在半导体的接触面上依次出现的状态为()。
A. 少数载流子反型状态,多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态
B. 多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态,少数载流子反型状态
C. 多数载流子耗尽状态,多数载流子堆积状态,少数载流子反型状态
D. 少数载流子反型状态,多数载流子堆积状态,多数载流子耗尽状态
[单项选择]MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型()。
A. 相同
B. 不同
C. 无关
[单项选择]以长声学波为主要散射机构时,电子的迁移率μn与温度的()
A. 平方成正比;
B. 3/2次方成反比;
C. 平方成反比;
D. 1/2次方成正比;
[单项选择]把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()
A. 改变禁带宽度
B. 产生复合中心
C. 产生空穴陷阱
D. 产生等电子陷阱
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