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[单项选择]金属烤瓷材料的烧结温度应比金属的熔点
A. 高
B. 相等
C. 低
D. 高或者相等
E. 两者无关系
[单项选择]若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度
A. 高20～30℃
B. 高10～20℃
C. 高10℃以内
D. 低10℃以内
E. 低10～20℃
[单项选择]上釉的烧结温度是
A. 低于体瓷温度5℃
B. 低于体瓷温度10℃
C. 低于体瓷温度20℃
D. 高于体瓷温度5℃
E. 高于体瓷温度10℃
[单项选择]某技师目前所使用的瓷粉最高烧结温度为 950℃，其选择使用的烤瓷合金熔点至少应达到
[单项选择]瓷质砖的烧结温度高，瓷化程度好，吸水率小于（）。
A. 0.5%
B. 1%
C. 1.5%
D. 2%
[单项选择]某技师采用二次法烧结遮色层，第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是
A. 第一层与第二层烧结温度一致
B. 第一层烧结温度比第二层低30～50℃
C. 第一层烧结温度比第二层低10～20℃
D. 第一层烧结温度比第二层高10～20℃
E. 第一层烧结温度比第二层高30～50℃
[单项选择]气割金属时，条件之一为金属氧化物的熔点应( )金属熔点。
A. 高于
B. 相等
C. 低于
D. 不一定
[单项选择]测定熔点所用温度计必须经过
A. 洗涤
B. 调节
C. 刻度核对
D. 校正
E. 检查
[单项选择]适用于金属烤瓷冠桥未烧结瓷前的焊接方法是
A. 转移焊接法
B. 前焊接
C. 后焊接
D. 离模焊接法
E. 连模焊接
