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[填空题]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以( )晶体管作为基极,以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成。
[填空题]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以( )晶体管作为基极,以电力晶体管作为发射极与集电极复
合而成。
[填空题]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求:驱动放大、电气( )、保护IGBT。
[填空题]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求:驱动放大、电气( )、保护
IGBT。
[判断题]( )绝缘栅双极型晶体管(IGBT)属于全控型电力电子器件。
A.正确
B.错误
[填空题]绝缘门极双极型晶体管(IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求:驱动( )、电气隔离、保护
IGBT。
[判断题]( )绝缘门极双极型晶体管(IGBT)属于全控型电力电子器件。
A.正确
B.错误
[填空题]在共发射极放⼤电路中,基极输⼊电流越⼤ ,集电极电流( ),集电极与发射极之间电压( )。
[单选题](77393)由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在,使IGBT的开关速度( )电力MOSFET。(2.0分)
A.低于
B.等于
C.高于
D.无法比较
[多选题]绝缘栅双极型晶体管是以( )作为栅极,以( )复合而成。
A.晶闸管控制极为栅极
B. 电力场效应晶体管栅极为栅极
C. 电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极
D. 场效应管集电极和发射极作为发射极与集电极
[填空题]( )是三端器件,具有栅极G、集电极C和发射极E。
[填空题]晶体三极管⼯作在放⼤状态时,发射极加( )电压,集电极加( )电压。
[填空题]当把三极管接入电路中时,()极电流的微小变化,将引起集电极电流及发射极电流较大的变化。
[填空题]晶体三极管处于饱和状态时,集电极与发射极之间的压降,硅三极管约( )V;锗三极管约( )V。
[填空题]当把三极管接入电路中时,( )电流的微小变化, 将引起集电极电流及发射极电流较大的变化。